[發明專利]半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201610073065.8
• 申請日: 2016-02-02
• 公開（公告）號: CN107026192B
• 公開（公告）日: 2020-05-29
• 發明（設計）人: 張帥;洪波;呂瑞霖
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/265
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 李浩

本發明公開了半導體裝置的制造方法，涉及半導體領域。該方法包括：提供襯底結構，該襯底結構包括用于器件的一個或多個結構，所述一個或多個結構每一個包括位于襯底中的被溝槽分隔的有源區、位于有源區上的絕緣層、以及位于絕緣層上的硬掩模層，所述一個或多個結構包括用于第一類型器件的第一結構；對第一結構執行第一離子注入；對硬掩模層和絕緣層進行后縮處理，形成后縮的硬掩模層和后縮的絕緣層，從而暴露有源區的邊緣角部；對邊緣角部進行圓角處理。本發明的制造方法可以使得有源區的邊緣角部被圓角處理的更圓滑，減小邊緣角部的電場集中效應，從而提高器件的可靠性。

技術領域

本發明涉及半導體領域，特別涉及半導體裝置的制造方法。

背景技術

目前，高壓器件通常生長比較厚的柵極氧化物來使得器件能夠承受較高的工作電壓。但是，與在有源區的平面部形成的氧化物相比，在有源區的角部形成的氧化物常常較薄。這將導致在有源區角部產生較高的電場，并且在有源區角部處電場分布集中，從而降低器件的可靠性。為了克服在有源區角部處的氧化物厚度較薄的問題，現有技術中通常增加柵極氧化物的厚度，但是這僅能有限地改善有源區角部的氧化物厚度。

此外，為了保持最大工作電壓，高壓器件還需要較大的阱區隔離。

發明內容

本發明的發明人發現上述現有技術中存在問題，并因此針對所述問題中的至少一個問題提出了一種新的技術方案。

本發明的一個實施例的目的之一是：提供一種半導體裝置的制造方法。

根據本發明的第一方面，提供了一種半導體裝置的制造方法，包括：提供襯底結構，所述襯底結構包括用于器件的一個或多個結構，所述一個或多個結構每一個包括位于襯底中的被溝槽分隔的有源區、位于有源區上的絕緣層、以及位于絕緣層上的硬掩模層，所述一個或多個結構包括用于第一類型器件的第一結構；對所述第一結構執行第一離子注入；對所述硬掩模層和所述絕緣層進行后縮處理，形成后縮的硬掩模層和后縮的絕緣層，從而暴露所述有源區的邊緣角部；以及對所述邊緣角部進行圓角處理。

在一些實施例中，所述方法還包括：對與所述第一結構相鄰的第一溝槽的至少一部分執行第二離子注入，以在所述第一溝槽的底部的襯底中形成第一摻雜區域，其中所述第二離子注入的能量小于所述第一離子注入的能量。

在一些實施例中，所述圓角處理使得所暴露的邊緣角部被氧化，并在所暴露的邊緣角部以及所述溝槽的底部和側壁上形成氧化物層。

在一些實施例中，所述半導體裝置的制造方法還包括：在所述圓角處理后，以絕緣填充材料填充所述溝槽。

在一些實施例中，用于所述第一離子注入的源材料包含磷或砷，注入能量為100KeV至700KeV，注入劑量為1×10¹²至8×10¹²atom/cm²；或者，用于所述第一離子注入的源材料包含硼，注入能量為60KeV至300KeV，注入劑量為1×10¹²至8×10¹²atom/cm²。

在一些實施例中，用于所述第二離子注入的源材料包含砷或磷，注入能量為8KeV至60KeV，注入劑量為5×10¹²至1×10¹⁴atom/cm²；或者，用于所述第二離子注入的源材料包含硼或氟化硼，注入能量為5KeV至30KeV，注入劑量為5×10¹²至1×10¹⁴atom/cm²。

在一些實施例中，所述襯底還包括用于第二類型器件的第二結構，在對所述第一結構執行第一離子注入之前，所述方法還包括：形成第一阻擋層覆蓋所述第二結構。