[發明專利]半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201610073065.8
• 申請日: 2016-02-02
• 公開（公告）號: CN107026192B
• 公開（公告）日: 2020-05-29
• 發明（設計）人: 張帥;洪波;呂瑞霖
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/265
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 李浩

1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底結構，所述襯底結構包括用于器件的一個或多個結構，所述一個或多個結構每一個包括位于襯底中的被溝槽分隔的有源區、位于有源區上的絕緣層、以及位于絕緣層上的硬掩模層，所述一個或多個結構包括用于第一類型器件的第一結構；

對所述第一結構執行第一離子注入；其中，對所述第一結構中的整個硬掩模層和絕緣層執行第一離子注入；

對所述硬掩模層和所述絕緣層進行后縮處理，形成后縮的硬掩模層和后縮的絕緣層，從而暴露所述有源區的邊緣角部；以及

對所述邊緣角部進行圓角處理；

其中，在所述后縮處理之前，所述方法還包括：對與所述第一結構相鄰的第一溝槽的至少一部分執行第二離子注入，以在所述第一溝槽的底部的襯底中形成第一摻雜區域，其中所述第二離子注入的能量小于所述第一離子注入的能量。

2.根據權利要求1所述半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述圓角處理使得所暴露的邊緣角部被氧化，并在所暴露的邊緣角部以及所述溝槽的底部和側壁上形成氧化物層。

3.根據權利要求1所述半導體裝置的制造方法，其特征在于，還包括：

在所述圓角處理后，以絕緣填充材料填充所述溝槽。

4.根據權利要求1所述半導體裝置的制造方法，其特征在于，

用于所述第一離子注入的源材料包含磷或砷，注入能量為100KeV至700KeV，注入劑量為1×10¹²至8×10¹²atom/cm²；

或者，

用于所述第一離子注入的源材料包含硼，注入能量為60KeV至300KeV，注入劑量為1×10¹²至8×10¹²atom/cm²。

5.根據權利要求1所述半導體裝置的制造方法，其特征在于，

用于所述第二離子注入的源材料包含砷或磷，注入能量為8KeV至60KeV，注入劑量為5×10¹²至1×10¹⁴atom/cm²；

或者，

用于所述第二離子注入的源材料包含硼或氟化硼，注入能量為5KeV至30KeV，注入劑量為5×10¹²至1×10¹⁴atom/cm²。

6.根據權利要求1所述半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述襯底還包括用于第二類型器件的第二結構，

在對所述第一結構執行第一離子注入之前，所述方法還包括：形成第一阻擋層覆蓋所述第二結構。

7.根據權利要求1所述半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述襯底還包括用于第二類型器件的第二結構，

所述方法還包括：

在對所述第一結構執行第一離子注入之前，形成第一阻擋層覆蓋所述第二結構；以及

在對與所述第一結構相鄰的第一溝槽的至少一部分執行第二離子注入之后且在所述后縮處理之前，去除所述第一阻擋層。

8.根據權利要求7所述半導體裝置的制造方法，其特征在于，在去除所述第一阻擋層之后，所述方法還包括：

形成第二阻擋層以露出所述第二結構；

對所述第二結構執行第三離子注入。

9.根據權利要求8所述半導體裝置的制造方法，其特征在于，還包括：

對與所述第二結構相鄰的第二溝槽的至少一部分執行第四離子注入，以在所述第二溝槽的底部的襯底中形成第二摻雜區域，其中所述第四離子注入的能量小于所述第三離子注入的能量。