[發(fā)明專利]一種提高BiTeSe基N型半導(dǎo)體熱電材料性能的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610070418.9 | 申請日： | 2016-01-29 |
| 公開（公告）號： | CN105702847B | 公開（公告）日： | 2017-12-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 祖方遒;朱彬;吳展;張文進;王小宇;余愿 | 申請（專利權(quán)）人： | 合肥工業(yè)大學 |
| 主分類號： | H01L35/16 | 分類號： | H01L35/16;H01L35/34 |
| 代理公司： | 合肥市上嘉專利代理事務(wù)所(普通合伙)34125 | 代理人： | 王偉 |
| 地址： | 230009 *** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 提高 bitese 半導(dǎo)體 熱電 材料 性能 方法 | ||
1.一種提高BiTeSe基N型半導(dǎo)體熱電材料性能的方法，其特征在于，將Bi,Te,Se顆粒按一定化學計量比配制母合金，并向所述母合金中加入0.3wt％KI,混合均勻，然后在950～1050℃下熔煉摻雜的母合金，隨后澆鑄到模具中冷卻凝固，即得到高性能的BiTeSe基N型半導(dǎo)體熱電材料；其中，由Bi、Te、Se配制的母合金，其化學計量比為Bi：Te：Se＝2:3-x:x，其中0﹤x﹤3。
2.如權(quán)利要求1所述的一種提高BiTeSe基N型半導(dǎo)體熱電材料性能的方法，其特征在于，所述摻雜的母合金熔煉時，先將其加熱到650℃，使覆蓋劑融化，隨后升溫到700～800℃，保溫1-2h，再升溫到950℃～1050℃，保溫0.5-1h實現(xiàn)溫度誘導(dǎo)液液結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變，隨后降溫到650℃保溫30min后，澆鑄到模具中冷卻凝固，即得到高性能的BiTeSe基N型半導(dǎo)體熱電材料。
3.如權(quán)利要求2所述的一種提高BiTeSe基N型半導(dǎo)體熱電材料性能的方法，其特征在于，所述覆蓋劑為B2O3，覆蓋方法為：將摻雜的母合金混合均勻后以B2O3粉末覆蓋放入熔煉爐中，B2O3熔化后即在母合金上方形成有效保護膜；對母合金熔體的氧化和吸氣起到阻斷作用。
4.如權(quán)利要求1所述的提高BiTeSe基N型半導(dǎo)體熱電材料性能的方法，其特征在于，所述母合金化學計量比為Bi：Te：Se＝2:2.7:0.3。
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