[發明專利]顯示基板及其制造方法和顯示裝置有效
| 申請號: | 201610070383.9 | 申請日: | 2016-02-01 |
| 公開(公告)號: | CN105762111B | 公開(公告)日: | 2018-12-18 |
| 發明(設計)人: | 蔣學兵 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 汪源;陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制造 方法 顯示裝置 | ||
本發明公開了一種顯示基板及其制造方法和顯示裝置。該顯示基板包括:襯底基板和位于所述襯底基板之上的柵線、數據線和公共電極線,所述柵線和所述數據線限定出像素單元,所述像素單元包括公共電極和像素電極,所述公共電極線沿所述數據線方向設置,所述公共電極線通過第一開關管和所述公共電極連接。本發明提供的避免了公共電極線上公共電極信號分布不均勻的現象,從而避免了顯示時閃爍不均的現象以及避免了液晶極化現象,進而避免了顯示時出現殘像不良;避免了公共電極線和數據線之間的耦合作用導致的對公共電極線的公共電極信號起到的拉動作用,從而避免了顯示時出現綠屏問題。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別涉及一種顯示基板及其制造方法和顯示裝置。
背景技術
薄膜晶體管液晶顯示裝置(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,簡稱:TFT-LCD)主要包括彩膜基板和和陣列基板,彩膜基板和陣列基板對盒設置。
以高級超維場轉換技術(ADvanced Super Dimension Switch,簡稱:ADS)型陣列基板為例,ADS陣列基板可包括襯底基板和位于襯底基板之上的柵線、數據線和公共電極線,柵線和數據線出垂直交叉限定出像素單元,像素單元包括公共電極和像素電極,公共電極線沿柵線方向設置且與該柵線方向上的多個公共電極直接連接。
但是,現有技術中的方案存在如下技術問題:
1)公共電極線與一條柵線方向上的多個公共電極直接連接,因此該公共電極線會向一條柵線方向上的多個公共電極提供公共電極信號。由于公共電極線本身具備電阻,而公共電極信號的給入點位于該公共電極線的一端,因此該公共電極線上不同位置傳輸的公共電極信號是不同的,也就是說,公共電極線上的公共電極信號的分布是不均勻的,這會引起顯示時閃爍不均的現象以及導致液晶極化的現象,從而導致顯示時出現殘像不良;
2)由于公共電極線沿柵線方向設置,而柵線與數據線垂直交叉設置,因此公共電極線和數據線交叉設置。公共電極線和數據線之間的耦合作用會對公共電極線的公共電極信號起到拉動作用,導致紅藍像素亮度降低而綠像素亮度升高,從而導致顯示時出現綠屏問題(Greenish Issue)。
發明內容
本發明提供一種顯示基板及其制造方法和顯示裝置,用于避免顯示時出現殘像不良以及避免顯示時出現綠屏問題。
為實現上述目的,本發明提供了一種顯示基板,包括:襯底基板和位于所述襯底基板之上的柵線、數據線和公共電極線,所述柵線和所述數據線限定出像素單元,所述像素單元包括公共電極和像素電極,所述公共電極線沿所述數據線方向設置,所述公共電極線通過第一開關管和所述公共電極連接;
所述公共電極之上設置有與所述柵線同層設置的第一連接圖形,所述第一開關管包括第一柵極、第一源極、第一漏極和第一有源層,第一源極和第一漏極與所述第一有源層連接,所述第一源極還和所述公共電極線連接,所述第一漏極通過所述第一連接圖形和第二連接圖形與所述公共電極連接,所述第二連接圖形和所述像素電極同層設置。
可選地,所述公共電極線和所述數據線平行設置。
可選地,所述公共電極線和所述數據線同層設置。
可選地,所述第一開關管對應的柵線的部分作為第一柵極。
可選地,所述數據線通過第二開關管和所述像素電極連接;
對應于同一柵線的第一開關管和第二開關管的掃描時序相同。
可選地,每一條公共電極線對應于一列公共電極,該列中的每個公共電極均通過對應的第一開關管與該條公共電極線和連接。
可選地,所述公共電極線位于相鄰的兩列數據線之間。
可選地,所述公共電極位于所述像素電極的下方。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





