[發明專利]顯示基板及其制造方法和顯示裝置有效
| 申請號: | 201610070383.9 | 申請日: | 2016-02-01 |
| 公開(公告)號: | CN105762111B | 公開(公告)日: | 2018-12-18 |
| 發明(設計)人: | 蔣學兵 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 汪源;陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制造 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,其特征在于,包括:襯底基板和位于所述襯底基板之上的柵線、數據線和公共電極線,所述柵線和所述數據線限定出像素單元,所述像素單元包括公共電極和像素電極,所述公共電極線沿所述數據線方向設置,所述公共電極線通過第一開關管和所述公共電極連接;
所述公共電極之上設置有與所述柵線同層設置的第一連接圖形,所述第一開關管包括第一柵極、第一源極、第一漏極和第一有源層,第一源極和第一漏極與所述第一有源層連接,所述第一源極還和所述公共電極線連接,所述第一漏極通過所述第一連接圖形和第二連接圖形與所述公共電極連接,所述第二連接圖形和所述像素電極同層設置。
2.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述公共電極線和所述數據線平行設置。
3.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述公共電極線和所述數據線同層設置。
4.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述第一開關管對應的柵線的部分作為第一柵極。
5.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述數據線通過第二開關管和所述像素電極連接;
對應于同一柵線的第一開關管和第二開關管的掃描時序相同。
6.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,每一條公共電極線對應于一列公共電極,該列中的每個公共電極均通過對應的第一開關管與該條公共電極線和連接。
7.根據權利要求6所述的顯示基板,其特征在于,所述公共電極線位于相鄰的兩列數據線之間。
8.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述公共電極位于所述像素電極的下方。
9.一種顯示裝置,其特征在于,包括:相對設置的對置基板和權利要求1至8任一所述的顯示基板。
10.一種顯示基板的制造方法,其特征在于,包括:
在襯底基板的上方形成柵線、數據線、公共電極線、像素電極、公共電極和第一開關管,所述柵線和所述數據線限定出像素單元,所述像素單元包括公共電極和像素電極,所述公共電極線沿所述數據線方向設置,所述公共電極線通過第一開關管和所述公共電極連接;
所述公共電極之上設置有與所述柵線同層設置的第一連接圖形,所述第一開關管包括第一柵極、第一源極、第一漏極和第一有源層,第一源極和第一漏極與所述第一有源層連接,所述第一源極還和所述公共電極線連接,所述第一漏極通過所述第一連接圖形和第二連接圖形與所述公共電極連接,所述第二連接圖形和所述像素電極同層設置。
11.根據權利要求10所述的顯示基板的制造方法,其特征在于,所述第一開關管包括第一柵極、第一有源層、第一源極和第一漏極,所述第一柵極為與所述第一開關管對應的柵線;所述在襯底基板的上方形成柵線、數據線、公共電極線、像素電極、公共電極和第一開關管包括:
在所述襯底基板之上形成公共電極;
在所述襯底基板之上形成柵線和第一連接圖形,所述第一連接圖形位于公共電極之上;
在柵線和第一連接圖形之上形成柵絕緣層,所述柵絕緣層覆蓋所述襯底基板;
在柵絕緣層之上形成第一有源層;
在所述襯底基板上形成數據線、公共電極線、第一源極和第一漏極;
在所述數據線、公共電極線、第一源極和第一漏極之上形成鈍化層,所述鈍化層覆蓋所述襯底基板;
在所述鈍化層上形成第一過孔以及在所述柵絕緣層和鈍化層上形成第二過孔;
在所述襯底基板上形成像素電極和第二連接圖形,第二連接圖形填充于第一過孔中以與第一漏極連接,第二連接圖形填充于第二過孔中以與第一連接圖形連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





