[發明專利]低溫多晶硅TFT基板的制作方法及低溫多晶硅TFT基板

有效

• 申請號: 201610068662.1
• 申請日: 2016-02-01
• 公開（公告）號: CN105702622B
• 公開（公告）日: 2019-02-01
• 發明（設計）人: 盧改平
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

本發明提供一種低溫多晶硅TFT基板的制作方法及低溫多晶硅TFT基板。本發明的低溫多晶硅TFT基板的制作方法，利用化學氣相沉積方法來形成N型重摻雜非晶硅層，節省一道離子摻雜的制程，且多晶硅層的圖形化處理與N型重摻雜非晶硅層的圖形化處理采用相同的光罩，從而節省一道光罩，降低生產成本；柵極絕緣層的厚度均勻，可有效提高TFT元件的信賴性并改善Hump現象；由于第一、第二N型重摻雜非晶硅層中摻雜的離子濃度均勻，從而避免出現過孔處源/漏極與第一、第二N型重摻雜非晶硅層的接觸阻抗過大的問題，提升TFT元件特性。本發明的低溫多晶硅TFT基板，制程簡單，制作成本低，且TFT器件性能優異。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種低溫多晶硅TFT基板的制作方法及低溫多晶硅TFT基板。

背景技術

隨著顯示技術的發展，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面顯示裝置因具有高畫質、省電、機身薄及應用范圍廣等優點，而被廣泛的應用于手機、電視、個人數字助理、數字相機、筆記本電腦、臺式計算機等各種消費性電子產品，成為顯示裝置中的主流。

現有市場上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯示面板及背光模組(backlight module)。液晶顯示面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當中放置液晶分子，兩片玻璃基板中間有許多垂直和水平的細小電線，通過通電與否來控制液晶分子改變方向，將背光模組的光線折射出來產生畫面。

通常液晶顯示面板由彩膜(CF，Color Filter)基板、薄膜晶體管(TFT，Thin FilmTransistor)基板、夾于彩膜基板與薄膜晶體管基板之間的液晶(LC，Liquid Crystal)及密封膠框(Sealant)組成。薄膜晶體管具有多種結構，制備相應結構的薄膜晶體管的材料也具有多種，低溫多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，簡稱LTPS)材料是其中較為優選的一種，由于低溫多晶硅的原子規則排列，載流子遷移率高，對電壓驅動式的液晶顯示裝置而言，多晶硅薄膜晶體管由于其具有較高的遷移率，可以使用體積較小的薄膜晶體管實現對液晶分子的偏轉驅動，在很大程度上縮小了薄膜晶體管所占的體積，增加透光面積，得到更高的亮度和解析度；對于電流驅動式的有源矩陣驅動式有機電致發光顯示裝置而言，低溫多晶硅薄膜晶體管可以更好的滿足驅動電流要求。

請參閱圖1-5，為現有的低溫多晶硅TFT基板的制作方法，其包括如下步驟：

步驟1、如圖1所示，提供一基板100，在所述基板100上依次沉積緩沖層200、及非晶硅層250；

步驟2、如圖2所示，采用準分子激光退火方法將所述非晶硅層250轉化為多晶硅層270；

步驟3、如圖3所示，采用光刻制程對所述多晶硅層270進行圖形化處理，得到多晶硅島300，對多晶硅島300的中間區域進行P型輕摻雜，得到溝道310，然后利用一道光罩對多晶硅島300的兩端進行N型重摻雜，得到N型重摻雜區320；

步驟4、如圖4所示，在所述多晶硅島300、及緩沖層200上沉積柵極絕緣層400，在所述柵極絕緣層400上形成對應于溝道310上方的柵極500；然后利用柵極500為光罩對所述多晶硅島300上位于N型重摻雜區320與溝道310之間的區域進行N型輕摻雜，得到N型輕摻雜區330；

步驟5、如圖5所示，在所述柵極500、及柵極絕緣層400上方沉積層間絕緣層600，并在所述層間絕緣層600及柵極絕緣層400上形成對應于所述N型重摻雜區320上方的過孔610，在所述層間絕緣層600上形成源/漏極700，所述源/漏極700經由過孔610與所述N型重摻雜區320相接觸。