[發明專利]低溫多晶硅TFT基板的制作方法及低溫多晶硅TFT基板

有效

• 申請號: 201610068662.1
• 申請日: 2016-02-01
• 公開（公告）號: CN105702622B
• 公開（公告）日: 2019-02-01
• 發明（設計）人: 盧改平
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種低溫多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上形成緩沖層(20)，利用化學氣相沉積方法在所述緩沖層(20)上沉積一N型重摻雜非晶硅層(30)，利用一道光罩，采用正型光阻通過黃光、蝕刻制程對所述N型重摻雜非晶硅層(30)進行圖形化處理，得到位于兩側的第一N型重摻雜非晶硅層(31)與第二N型重摻雜非晶硅層(32)；

步驟2、在所述第一、第二N型重摻雜非晶硅層(31、32)上沉積一非晶硅層，采用低溫結晶工藝將所述非晶硅層轉化為多晶硅層(40)，利用與所述步驟1相同的光罩，采用負型光阻通過黃光、蝕刻制程對所述多晶硅層(40)進行圖形化處理，得到位于所述第一N型重摻雜非晶硅層(31)與第二N型重摻雜非晶硅層(32)之間的多晶硅段(41)；

步驟3、在所述第一、第二N型重摻雜非晶硅層(31、32)、及多晶硅段(41)上沉積柵極絕緣層(50)，在所述柵極絕緣層(50)上形成對應于多晶硅段(41)上方的柵極(60)；然后利用柵極(60)為光罩對所述多晶硅段(41)的兩側進行N型輕摻雜，得到第一N型輕摻雜多晶硅層(42)、第二N型輕摻雜多晶硅層(43)、及位于所述第一、第二N型輕摻雜多晶硅層(42、43)之間的未摻雜多晶硅層(44)；

步驟4、在所述柵極(60)、及柵極絕緣層(50)上沉積層間絕緣層(70)，并在所述層間絕緣層(70)及柵極絕緣層(50)上形成對應于所述第一、第二N型重摻雜非晶硅層(31、32)上方的過孔(71)，在所述層間絕緣層(70)上形成源/漏極(80)，所述源/漏極(80)經由過孔(71)與所述第一、第二N型重摻雜非晶硅層(31、32)相接觸；

所述第一、第二N型重摻雜非晶硅層(31、32)、第一、第二N型輕摻雜多晶硅層(42、43)、及未摻雜多晶硅層(44)的厚度相同，從而構成一平坦層，使得在該平坦層上沉積的柵極絕緣層(50)的厚度均勻。

2.如權利要求1所述的低溫多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟1中，利用化學氣相沉積方法沉積N型重摻雜非晶硅層(30)時采用的反應氣體包括甲硅烷、磷化氫、及氫氣。

3.如權利要求1所述的低溫多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟2中，所述低溫結晶工藝為準分子激光退火法或金屬誘導橫向晶化法。

4.如權利要求1所述的低溫多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述基板(10)為玻璃基板；所述柵極(60)、源/漏極(80)的材料為鉬、鈦、鋁、銅中的一種或多種的堆棧組合；所述緩沖層(20)、柵極絕緣層(50)、及層間絕緣層(70)為氧化硅層、氮化硅層、或者由氧化硅層與氮化硅層疊加構成的復合層。

5.如權利要求1所述的低溫多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一、第二N型重摻雜非晶硅層(31、32)、第一、第二N型輕摻雜多晶硅層(42、43)中摻入的離子為硼離子或者磷離子。