[發明專利]芯片封裝方法及芯片封裝結構在審
| 申請號: | 201610067264.8 | 申請日: | 2016-01-29 |
| 公開(公告)號: | CN106601630A | 公開(公告)日: | 2017-04-26 |
| 發明(設計)人: | 蘇威碩 | 申請(專利權)人: | 碁鼎科技秦皇島有限公司;臻鼎科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/48;H01L23/31 |
| 代理公司: | 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司44334 | 代理人: | 薛曉偉 |
| 地址: | 066004 河北省*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芯片 封裝 方法 結構 | ||
1.一種芯片封裝方法,其包括步驟:
第一步,提供一承載基板;
第二步,在該承載基板上形成多個金屬柱及安裝至少一個芯片,多個該金屬柱分布在該至少一個芯片的周圍;
第三步,形成一封膠體,該封膠體包覆多個該金屬柱及該至少一個芯片;
第四步,去除該承載基板,形成一封裝基板;及
第五步,在該封膠體的一側形成一線路重置層及一包覆該線路重置層的絕緣層;該線路重置層與至少部分該金屬柱及該芯片電連接,該芯片的一表面與該絕緣層共平面。
2.如權利要求1所述的芯片封裝方法,其特征在于,在形成該線路重置層及該絕緣層之后,還包括步驟:在該線路重置層的遠離該封裝基板的表面上形成一防焊層,該防焊層上形成有多個防焊開口,在該多個該防焊開口內形成多個第一焊球。
3.如權利要求1所述的芯片封裝方法,其特征在于,該封膠體包括一第三表面及一與該第三表面相對的第四表面,該線路重置層形成在該第三表面上。
4.如權利要求3所述的芯片封裝方法,其特征在于,在形成該封膠體之后,去除該承載基板之前,還包括步驟:對該封膠體的遠離該承載基板的一面進行拋光處理,從而形成該第四表面,使得多個該金屬柱的遠離該承載基板的一端從該封膠體中裸露出來且與該第四表面平齊,并在與該第四表面平齊的部分該金屬柱的一端形成多個第二焊球。
5.如權利要求3所述的芯片封裝方法,其特征在于,在形成該封膠體之后,去除該承載基板之前,還包括步驟:在該第四表面上與多個該金屬柱相對應的位置形成多個導電盲孔并在多個該導電盲孔的遠離該金屬柱的一端形成多個第二焊球,多個該導電盲孔與多個該金屬柱一一對應且電性連接。
6.一種芯片封裝結構,該芯片封裝結構包括多個金屬柱、至少一芯片、一封膠體、一線路重置層及一包覆該線路重置層的絕緣層,該封膠體包覆該金屬柱及該芯片,多個該金屬柱均勻地分布在該芯片的周圍, 該線路重置層形成于該封膠體的一側,該線路重置層與至少部分該金屬柱及該芯片電性連接,該芯片的一表面與該絕緣層共平面。
7.如權利要求6所述的芯片封裝結構,其特征在于,該芯片封裝結構還包括一防焊層,該絕緣層與該線路重置層的遠離該封膠體的表面平齊,該防焊層形成在該線路重置層遠離該封膠體的一側,該防焊層上形成有多個防焊開口,該防焊開口內形成有多個第一焊球,該第一焊球用于連接外部電子元件。
8.如權利要求6所述的芯片封裝結構,其特征在于,該封膠體包括一第三表面及一與該第三表面相對的第四表面,該線路重置層形成在該第三表面上,該第四表面遠離該線路重置層;該金屬柱的兩端分別與該第四表面和該第三表面平齊,多個該金屬柱的與該第四表面平齊的一端形成有多個第二焊球,多個該第二焊球用于電連接外部電子元件。
9.如權利要求6所述的芯片封裝結構,其特征在于,該芯片封裝結構還包括多個導電盲孔,多個該導電盲孔自該第四表面向該封膠體的內部凹陷,多個該導電盲孔與多個該金屬柱一一對應且電性連接,多個該導電盲孔的開口所在的端面上形成有多個第二焊球,多個該第二焊球用于電連接外部電子元件。
10.如權利要求6所述的芯片封裝結構,其特征在于,該芯片直接與該重置線路層電性連接并不包括焊盤。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





