[發明專利]低溫多晶硅TFT基板的制作方法及低溫多晶硅TFT基板有效
| 申請號: | 201610066225.6 | 申請日: | 2016-01-29 |
| 公開(公告)號: | CN105679772B | 公開(公告)日: | 2018-11-09 |
| 發明(設計)人: | 虞曉江 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 低溫 多晶 tft 制作方法 基板 | ||
本發明提供一種低溫多晶硅TFT基板的制作方法及低溫多晶硅TFT基板。本發明的低溫多晶硅TFT基板的制作方法,通過先采用傾斜離子束對多晶硅層進行高劑量的離子植入,以形成重摻雜區,再采用垂直離子束進行低劑量的離子植入,以形成輕摻雜區,簡便的制作出具有單邊LDD區的薄膜晶體管,從而可以減小薄膜晶體管的熱載流子效應及漏電,簡化了低溫多晶硅TFT基板的制作過程并降低了低溫多晶硅TFT基板的制作成本。本發明的低溫多晶硅TFT基板,其薄膜晶體管具有單邊LDD區,可以減小薄膜晶體管的熱載流子效應及漏電,且制作工藝簡單,制作成本低。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種低溫多晶硅TFT基板的制作方法及低溫多晶硅TFT基板。
背景技術
隨著顯示技術的發展,液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)等平面顯示裝置因具有高畫質、省電、機身薄及應用范圍廣等優點,而被廣泛的應用于手機、電視、個人數字助理、數字相機、筆記本電腦、臺式計算機等各種消費性電子產品,成為顯示裝置中的主流。
現有市場上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示器,其包括液晶顯示面板及背光模組(backlight module)。液晶顯示面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當中放置液晶分子,兩片玻璃基板中間有許多垂直和水平的細小電線,通過通電與否來控制液晶分子改變方向,將背光模組的光線折射出來產生畫面。
通常液晶顯示面板由彩膜(CF,Color Filter)基板、薄膜晶體管(TFT,Thin FilmTransistor)基板、夾于彩膜基板與薄膜晶體管基板之間的液晶(LC,Liquid Crystal)及密封膠框(Sealant)組成,其成型工藝一般包括:前段陣列(Array)制程(薄膜、黃光、蝕刻及剝膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板與CF基板貼合)及后段模組組裝制程(驅動IC與印刷電路板壓合)。其中,前段Array制程主要是形成TFT基板,以便于控制液晶分子的運動;中段Cell制程主要是在TFT基板與CF基板之間添加液晶;后段模組組裝制程主要是驅動IC壓合與印刷電路板的整合,進而驅動液晶分子轉動,顯示圖像。
LTPS(Low Temperature Poly-Silicon,低溫多晶硅)顯示面板在高端手機、平板電腦上已獲得廣泛應用,IPHONE 6s手機、LG G4手機、Kindle Fire Hdx平板電腦等產品均使用LTPS顯示面板。LTPS技術可以通過激光退火等方法在玻璃基板上形成高遷移率的低溫多晶硅半導體層,使顯示屏具有高分辨率、低功耗、高反應速度、高開口率等優點。但LTPS顯示面板中的TFT基板的制造過程非常復雜,常常需要9道光罩以上的制程來生產,復雜的制造過程顯著影響了LTPS顯示面板的良率和價格。因此,簡化TFT基板的制造過程對于LTPS顯示面板的推廣具有重要作用。
發明內容
本發明的目的在于提供一種低溫多晶硅TFT基板的制作方法,可簡便的制作出具有單邊LDD區的薄膜晶體管,簡化了低溫多晶硅TFT基板的制作過程并降低了低溫多晶硅TFT基板的制作成本。
本發明的目的還在于提供一種低溫多晶硅TFT基板,其薄膜晶體管具有單邊LDD區,可以減小薄膜晶體管的熱載流子效應及漏電,且制作工藝簡單,制作成本低。
為實現上述目的,本發明提供一種低溫多晶硅TFT基板的制作方法,包括如下步驟:
步驟1、提供一基板,在所述基板上依次形成緩沖層、多晶硅層、及柵極絕緣層;
步驟2、在所述柵極絕緣層上沉積第一金屬層,在所述第一金屬層上涂布光阻材料,利用光罩對所述光阻材料進行曝光、顯影后,對剩余的光阻層進行硬烤,使顯影液揮發,增強其穩定性;
步驟3、對所述第一金屬層進行蝕刻,得到柵極、及位于柵極上方的光阻層;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





