[發明專利]低溫多晶硅TFT基板的制作方法及低溫多晶硅TFT基板

有效

• 申請號: 201610066225.6
• 申請日: 2016-01-29
• 公開（公告）號: CN105679772B
• 公開（公告）日: 2018-11-09
• 發明（設計）人: 虞曉江
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種低溫多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上依次形成緩沖層(20)、多晶硅層(30)、及柵極絕緣層(40)；

步驟2、在所述柵極絕緣層(40)上沉積第一金屬層(41)，在所述第一金屬層(41)上涂布光阻材料(42)，利用光罩(45)對所述光阻材料(42)進行曝光、顯影后，對剩余的光阻層(51)進行硬烤，使顯影液揮發，增強其穩定性；

步驟3、對所述第一金屬層(41)進行蝕刻，得到柵極(50)、及位于柵極(50)上方的光阻層(51)；

步驟4、在所述光阻層(51)、及柵極絕緣層(40)上涂布光阻材料，曝光、顯影后，得到位于柵極(50)上方的第一光阻圖案(61)、以及分別距所述第一光阻圖案(61)左右兩側一段距離且位于所述柵極絕緣層(40)上的第二光阻圖案(62)與第三光阻圖案(63)；

步驟5、以所述第一光阻圖案(61)、第二光阻圖案(62)、第三光阻圖案(63)為遮擋層，采用傾斜離子束對所述多晶硅層(30)進行高劑量的離子摻雜，離子束傾斜穿過第一光阻圖案(61)與第二光阻圖案(62)之間、及第一光阻圖案(61)與第三光阻圖案(63)之間，在所述多晶硅層(30)上分別形成第一重摻雜區(31)、及第二重摻雜區(32)；

步驟6、以所述第一光阻圖案(61)、第二光阻圖案(62)、第三光阻圖案(63)為遮擋層，采用垂直離子束對所述多晶硅層(30)進行低劑量的離子摻雜，離子束垂直穿過第一光阻圖案(61)與第二光阻圖案(62)之間、及第一光阻圖案(61)與第三光阻圖案(63)之間，在所述多晶硅層(30)上分別形成鄰接所述第一重摻雜區(31)的第一輕摻雜區(33)、以及鄰接所述第二重摻雜區(32)的第二輕摻雜區(34)，并在所述第二重摻雜區(32)與第一輕摻雜區(33)之間形成未摻雜的溝道區(35)；

步驟7、剝離所述第一光阻圖案(61)、第二光阻圖案(62)、及第三光阻圖案(63)，在所述柵極(50)、及柵極絕緣層(40)上形成層間絕緣層(70)，通過光刻制程在所述層間絕緣層(70)及柵極絕緣層(40)上形成分別對應于所述第一重摻雜區(31)、及第二重摻雜區(32)上方的過孔(71)；

步驟8、在所述層間絕緣層(70)上沉積第二金屬層，通過光刻制程對所述第二金屬層進行圖形化處理，得到源極(81)與漏極(82)，所述源極(81)與漏極(82)分別經由過孔(71)與第一重摻雜區(31)、及第二重摻雜區(32)相接觸。

2.如權利要求1所述的低溫多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟1中，所述多晶硅層(30)的制作過程為：在所述緩沖層(20)上沉積非晶硅層，采用低溫結晶工藝將所述非晶硅層轉化為多晶硅層(30)，所述低溫結晶工藝為固相晶化、準分子激光晶化、快速熱退火、或金屬橫向誘導法。

3.如權利要求1所述的低溫多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一重摻雜區(31)、及第二重摻雜區(32)的剖面結構為平行四邊形；所述第一輕摻雜區(33)、及第二輕摻雜區(34)的剖面結構為直角梯形。

4.如權利要求1所述的低溫多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一重摻雜區(31)、第二重摻雜區(32)、第一輕摻雜區(33)、及第二輕摻雜區(34)中摻入的離子均為硼離子或者磷離子。

5.如權利要求1所述的低溫多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述基板(10)為玻璃基板；所述緩沖層(20)、柵極絕緣層(40)、及層間絕緣層(70)為氧化硅層、氮化硅層、或者由氧化硅層與氮化硅層疊加構成的復合層；所述第一金屬層(41)、第二金屬層的材料為鉬、鈦、鋁、銅中的一種或多種的堆棧組合。