[發(fā)明專利]液晶顯示面板、TFT基板及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610064926.6
• 申請日: 2016-01-29
• 公開（公告）號: CN105552025A
• 公開（公告）日: 2016-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 謝應(yīng)濤
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/02;G02F1/1333
• 代理公司: 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 梁愷崢

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及液晶技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種液晶顯示面板、TFT基 板及其制造方法。

背景技術(shù)

液晶顯示面板是目前使用最廣泛的一種平板顯示面板，其已經(jīng)逐漸 成為各種電子設(shè)備如移動電話、個人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)字相機、計算 機屏幕或筆記本電腦屏幕所廣泛應(yīng)用且具有高分辨率彩色屏幕的顯示 面板。隨著液晶顯示面板技術(shù)的發(fā)展進步，人們對液晶顯示面板的顯示 品質(zhì)、外觀設(shè)計、低成本和高穿透率等提出了更高的要求。

而低功耗及超薄的液晶顯示面板也成為顯示技術(shù)領(lǐng)域的潮流。如圖 1所示，目前顯示領(lǐng)域中的液晶顯示面板的TFT基板(薄膜晶體管陣列 基板)包括襯底基板11、設(shè)置在襯底基板11上的第一金屬層12、設(shè)置 在第一金屬層12上的絕緣層13、設(shè)置在絕緣層13上的半導(dǎo)體材料層 14以及設(shè)置在半導(dǎo)體材料層14上的第二金屬層15。由于第一金屬層12 設(shè)置在襯底基板11上以及絕緣層13設(shè)置在第一金屬層12上，使得TFT 基板的厚度相對較高，不利于實現(xiàn)超薄化液晶顯示面板；且第一金屬層 12邊角區(qū)域的絕緣層13的膜質(zhì)較差，易于被驅(qū)動電壓擊穿，也會影響 液晶顯示面板的顯示品質(zhì)。

綜上所述，有必要提供一種液晶顯示面板、TFT基板及其制造方法 以解決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種液晶顯示面板、TFT基板及 其制造方法，能夠?qū)崿F(xiàn)超薄化液晶顯示面板，提升液晶顯示面板的顯示 品質(zhì)。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是：提供一種TFT 基板的制造方法，該方法包括：在襯底基板設(shè)置凹槽；在凹槽中填充金 屬材料以形成第一金屬層，其中第一金屬層作為TFT基板的柵極；在第 一金屬層和襯底基板上設(shè)置絕緣層；在絕緣層上依次設(shè)置半導(dǎo)體材料層 和第二金屬層，其中，第二金屬層形成TFT基板的漏極和源極，半導(dǎo)體 材料層設(shè)置于漏極和柵極之間。

其中，第一金屬層的厚度小于或等于凹槽的深度。

其中，第一金屬層的厚度與凹槽的深度的差值范圍為0-20nm。

其中，在襯底基板設(shè)置凹槽的步驟包括：在襯底基板上涂抹光刻膠； 利用干刻工藝或濕刻工藝刻蝕襯底基板中未涂抹光刻膠的區(qū)域，以形成 凹槽。

其中，在凹槽中填充金屬材料以形成第一金屬層的步驟包括：通過 磁控濺射工藝或者熱蒸鍍工藝在凹槽上沉積金屬材料；將襯底基板浸泡 在去膠液中，以通過去膠液去除涂抹在襯底基板上的光刻膠，從而在凹 槽中形成第一金屬層。

其中，在凹槽中填充金屬材料以形成第一金屬層的步驟包括：將襯 底基板浸泡在去膠液中，以通過去膠液去除涂抹在襯底基板上的光刻 膠；通過噴墨打印工藝在凹槽中滴入金屬導(dǎo)電墨水，以在凹槽中形成第 一金屬層。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個技術(shù)方案是：提供一種 TFT基板，其包括：襯底基板，設(shè)置有凹槽；設(shè)置在襯底基板上的第一 金屬層，其中，第一金屬層設(shè)置在凹槽中，第一金屬層為TFT基板的柵 極；設(shè)置在第一金屬層和襯底基板上的絕緣層；依次設(shè)置在絕緣層上的 半導(dǎo)體材料層和第二金屬層，其中，第二金屬層形成TFT基板的漏極和 源極，半導(dǎo)體材料層設(shè)置于漏極和柵極之間。

其中，第一金屬層的厚度小于或等于凹槽的深度。

其中，第一金屬層的厚度與凹槽的深度的差值范圍為0-20nm。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的又一個技術(shù)方案是：提供一種 液晶顯示面板，該液晶顯示面板包括上述任一項的TFT基板。

本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明的TFT基板 的制造方法包括：在襯底基板設(shè)置凹槽；在凹槽中填充金屬材料以形成 第一金屬層；在第一金屬層和襯底基板上設(shè)置絕緣層；在絕緣層上依次 設(shè)置半導(dǎo)體材料層和第二金屬層。通過上述方式，本發(fā)明通過將第一金 屬層設(shè)置在襯底基板內(nèi)，能夠降低TFT基板的厚度，有利于實現(xiàn)超薄化 液晶顯示面板；同時，由于第一金屬層設(shè)置在襯底基板內(nèi)，第一金屬層 上方的邊角區(qū)域的絕緣層的厚度保持一致，不容易被驅(qū)動電壓擊穿，有 效提升液晶顯示面板的顯示品質(zhì)。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)TFT基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明TFT基板的第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明TFT基板的第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明TFT基板的制造方法的流程示意圖；