[發明專利]液晶顯示面板、TFT基板及其制造方法在審
| 申請號: | 201610064926.6 | 申請日: | 2016-01-29 |
| 公開(公告)號: | CN105552025A | 公開(公告)日: | 2016-05-04 |
| 發明(設計)人: | 謝應濤 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/02;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 梁愷崢 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 液晶顯示 面板 tft 及其 制造 方法 | ||
1.一種TFT基板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
在襯底基板設置凹槽;
在所述凹槽中填充金屬材料以形成第一金屬層,其中所述第一金屬 層作為所述TFT基板的柵極;
在所述第一金屬層和所述襯底基板上設置絕緣層;
在所述絕緣層上依次設置半導體材料層和第二金屬層,其中,所述 第二金屬層形成所述TFT基板的漏極和源極,所述半導體材料層設置于 所述漏極和所述柵極之間。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一金屬層的厚 度小于或等于所述凹槽的深度。
3.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,所述第一金屬層的厚 度與所述凹槽的深度的差值范圍為0-20nm。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述在襯底基板設置 凹槽的步驟包括:
在所述襯底基板上涂抹光刻膠;
利用干刻工藝或濕刻工藝刻蝕所述襯底基板中未涂抹所述光刻膠 的區域,以形成所述凹槽。
5.根據權利要求4所述的方法,其特征在于,在所述凹槽中填充金 屬材料以形成第一金屬層的步驟包括:
通過磁控濺射工藝或者熱蒸鍍工藝在所述凹槽上沉積所述金屬材 料;
將所述襯底基板浸泡在去膠液中,以通過所述去膠液去除涂抹在所 述襯底基板上的光刻膠,從而在所述凹槽中形成所述第一金屬層。
6.根據權利要求4所述的方法,其特征在于,在所述凹槽中填充金 屬材料以形成第一金屬層的步驟包括:
將所述襯底基板浸泡在去膠液中,以通過所述去膠液去除涂抹在所 述襯底基板上的光刻膠;
通過噴墨打印工藝在所述凹槽中滴入金屬導電墨水,以在所述凹槽 中形成所述第一金屬層。
7.一種TFT基板,其特征在于,所述TFT基板包括:
襯底基板,設置有凹槽;
設置在所述襯底基板上的第一金屬層,其中,所述第一金屬層設置 在所述凹槽中,所述第一金屬層為所述TFT基板的柵極;
設置在所述第一金屬層和所述襯底基板上的絕緣層;
依次設置在所述絕緣層上的半導體材料層和第二金屬層,其中,所 述第二金屬層形成所述TFT基板的漏極和源極,半導體材料層設置于漏 極和柵極之間。
8.根據權利要求7所述的TFT基板,其特征在于,所述第一金屬 層的厚度小于或等于所述凹槽的深度。
9.根據權利要求8所述的TFT基板,其特征在于,所述第一金屬 層的厚度與所述凹槽的深度的差值范圍為0-20nm。
10.一種液晶顯示面板,其特征在于,所述液晶顯示面板包括如權 利要求7-9任一項所述的TFT基板。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于武漢華星光電技術有限公司,未經武漢華星光電技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610064926.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





