[發明專利]超級結器件在審

申請號：	201610064123.0	申請日：	2016-01-29
公開（公告）號：	CN105529365A	公開（公告）日：	2016-04-27
發明（設計）人：	王飛	申請（專利權）人：	上海華虹宏力半導體制造有限公司
主分類號：	H01L29/78	分類號：	H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10
代理公司：	上海浦一知識產權代理有限公司 31211	代理人：	丁紀鐵
地址：	201203 上海市浦東***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	超級器件
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【權利要求書】：

1.一種超級結器件，其特征在于：在N型外延中具有P柱和體區，所述P柱位于體區的下方，P柱呈平行溝槽型；體區之間的區域為JFET區域，外延表面具有柵極，所述柵極位于體區之間的硅表面，并且柵極與P柱溝槽平行；位于體區之下的P柱，其一側與體區的邊界對齊，P柱的另一側在體區的另一側邊界范圍內，與柵極的一側對齊，與柵極沒有重疊。

2.如權利要求1所述的超級結器件，其特征在于：所述外延中還存在P阱，所述P 阱為柵極和P柱以外的區域。

3.如權利要求2所述的超級結器件，其特征在于：超級結器件的溝道區為柵極和P 阱重疊的區域。

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