[發(fā)明專利]屏蔽柵-深溝槽MOSFET的屏蔽柵氧化層及其形成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610064114.1 | 申請日： | 2016-01-29 |
| 公開（公告）號： | CN105702736B | 公開（公告）日： | 2019-10-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳正嶸 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人： | 欒美潔 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 屏蔽 深溝 mosfet 氧化 及其 形成 方法 | ||
1.一種屏蔽柵-深溝槽MOSFET中溝槽側(cè)壁形成屏蔽柵氧化層的方法，其特征在于，包括如下步驟：
第1步，外延層上刻蝕形成有溝槽，采用熱氧化生長工藝在所述溝槽的底部表面和側(cè)壁表面形成第一氧化層；
第2步，在所述第一氧化層的表面形成氮化層；
第3步，采用多晶硅淀積工藝在所述氮化層的表面形成淀積多晶硅層；
第4步，進(jìn)行熱氧化，將所述淀積多晶硅層全部氧化成第二氧化層，所述第一氧化層、氮化層和第二氧化層共同形成屏蔽柵氧化層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽柵-深溝槽MOSFET中溝槽側(cè)壁形成屏蔽柵氧化層的方法，其特征在于，所述淀積多晶硅層的厚度為1000埃～2500埃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽柵-深溝槽MOSFET中溝槽側(cè)壁形成屏蔽柵氧化層的方法，其特征在于，所述溝槽的深度為4微米～6微米，側(cè)壁角度為86.5°～88.5°。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽柵-深溝槽MOSFET中溝槽側(cè)壁形成屏蔽柵氧化層的方法，其特征在于，所述第一氧化層的厚度與MOSFET中柵氧化層的厚度相同，所述氮化層的厚度為500埃～1500埃。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
