[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管芯片的計(jì)數(shù)方法和裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610063879.3
• 申請(qǐng)日: 2016-01-29
• 公開（公告）號(hào): CN105575844B
• 公開（公告）日: 2018-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 喻海波;向光勝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華燦光電(蘇州）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;H01L21/67
• 代理公司: 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 徐立

本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管芯片的計(jì)數(shù)方法和裝置，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述計(jì)數(shù)裝置包括：光源模塊，用于將紅外光或紫外光照射待檢測(cè)的發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光二極管芯片包括外延片、電極、以及DBR；取像模塊，用于獲取所述紅外光或所述紫外光穿透所述外延片和所述DBR所產(chǎn)生的圖像；處理模塊，用于從所述圖像中識(shí)別并統(tǒng)計(jì)具有所述電極的發(fā)光二極管芯片。本發(fā)明通過采用紅外光或紫外光照射待檢測(cè)的發(fā)光二極管芯片，紅外光和紫外光能穿透外延片和DBR且不能穿透電極，并獲取紅外光或紫外光穿透外延片和DBR所產(chǎn)生的圖像，從圖像中識(shí)別并統(tǒng)計(jì)具有電極的發(fā)光二極管芯片，實(shí)現(xiàn)確定帶有DBR芯片是否有電極，計(jì)數(shù)準(zhǔn)確。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種發(fā)光二極管芯片的計(jì)數(shù)方法和裝置。

背景技術(shù)

隨著GaN基發(fā)光二極管(Light Emitting Diode，簡(jiǎn)稱LED)在顯示和照明領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，LED的市場(chǎng)需求數(shù)量呈現(xiàn)幾何級(jí)數(shù)增加，這對(duì)LED的生產(chǎn)效率和生產(chǎn)質(zhì)量提出了更高要求。

為了檢測(cè)LED芯片的質(zhì)量，通常由電荷耦合元件(Charge-coupled Device，簡(jiǎn)稱CCD)獲取待檢測(cè)芯片的圖像，由于外延片在圖像中表現(xiàn)為透明圖形，電極在圖像中表現(xiàn)為黑色圖形，因此利用芯片的圖像即可確定LED芯片是否有電極，進(jìn)而確定正常芯片的數(shù)量。

在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題：

可見光無法穿透LED芯片中的分布式布拉格反射鏡(distributed Braggreflection，簡(jiǎn)稱DBR)，帶有DBR的LED芯片在CCD下顯示為全黑圖形，此時(shí)無法利用芯片的圖像確定LED芯片是否有電極，造成正常芯片的計(jì)數(shù)不準(zhǔn)確。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術(shù)無法確定帶有DBR芯片是否有電極、造成計(jì)數(shù)不準(zhǔn)確的問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管芯片的計(jì)數(shù)方法和裝置。所述技術(shù)方案如下：

一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管芯片的計(jì)數(shù)裝置，所述計(jì)數(shù)裝置包括：

光源模塊，用于將紅外光或紫外光照射待檢測(cè)的發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光二極管芯片包括外延片、電極、以及分布式布拉格反射鏡DBR；

取像模塊，用于獲取所述紅外光或所述紫外光穿透所述外延片和所述DBR所產(chǎn)生的圖像；

處理模塊，用于從所述圖像中識(shí)別并統(tǒng)計(jì)具有所述電極的發(fā)光二極管芯片；

所述處理模塊包括：

選取單元，用于在所述圖像上選取多個(gè)待測(cè)區(qū)域，所述待測(cè)區(qū)域的大小與標(biāo)準(zhǔn)圖像相同，所述標(biāo)準(zhǔn)圖像為具有所述電極的發(fā)光二極管芯片的圖像，所述多個(gè)待測(cè)區(qū)域的集合覆蓋所述圖像；

獲取單元，用于獲取各個(gè)所述待測(cè)區(qū)域各個(gè)像素的灰度值；

比較單元，用于比較各個(gè)所述待測(cè)區(qū)域各個(gè)像素的灰度值與所述標(biāo)準(zhǔn)圖像各個(gè)像素的灰度值，確定各個(gè)所述待測(cè)區(qū)域是否為具有所述電極的發(fā)光二極管芯片的圖像。

具體地，所述比較單元用于，

當(dāng)所述待測(cè)區(qū)域各個(gè)像素的灰度值與所述標(biāo)準(zhǔn)圖像各個(gè)像素的灰度值的相似度不小于設(shè)定值時(shí)，判定所述待測(cè)區(qū)域?yàn)榫哂兴鲭姌O的發(fā)光二極管芯片的圖像；

當(dāng)所述待測(cè)區(qū)域各個(gè)像素的灰度值與所述標(biāo)準(zhǔn)圖像各個(gè)像素的灰度值的相似度小于設(shè)定值時(shí)，判定所述待測(cè)區(qū)域不是具有所述電極的發(fā)光二極管芯片的圖像。

具體地，所述選取單元用于，

將選擇框在所述圖像上以Z字形滑動(dòng)，每隔一個(gè)步長(zhǎng)停頓一次，將每次停頓時(shí)選擇框中的所述圖像作為所述待測(cè)區(qū)域，所述步長(zhǎng)為每次滑動(dòng)的距離。

可選地，所述光源模塊包括：