[發明專利]一種發光二極管芯片的計數方法和裝置

有效

• 申請號: 201610063879.3
• 申請日: 2016-01-29
• 公開（公告）號: CN105575844B
• 公開（公告）日: 2018-06-26
• 發明（設計）人: 喻海波;向光勝
• 申請（專利權）人: 華燦光電(蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/67
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種發光二極管芯片的計數裝置，其特征在于，所述計數裝置包括：

光源模塊，用于將紅外光或紫外光照射待檢測的發光二極管芯片，所述發光二極管芯片包括外延片、電極、以及分布式布拉格反射鏡DBR；

取像模塊，用于獲取所述紅外光或所述紫外光穿透所述外延片和所述DBR所產生的圖像；

處理模塊，用于從所述圖像中識別并統計具有所述電極的發光二極管芯片；

所述處理模塊包括：

選取單元，用于在所述圖像上選取多個待測區域，所述待測區域的大小與標準圖像相同，所述標準圖像為具有所述電極的發光二極管芯片的圖像，所述多個待測區域的集合覆蓋所述圖像；

獲取單元，用于獲取各個所述待測區域各個像素的灰度值；

比較單元，用于比較各個所述待測區域各個像素的灰度值與所述標準圖像各個像素的灰度值，確定各個所述待測區域是否為具有所述電極的發光二極管芯片的圖像。

2.根據權利要求1所述的計數裝置，其特征在于，所述比較單元用于，

當所述待測區域各個像素的灰度值與所述標準圖像各個像素的灰度值的相似度不小于設定值時，判定所述待測區域為具有所述電極的發光二極管芯片的圖像；

當所述待測區域各個像素的灰度值與所述標準圖像各個像素的灰度值的相似度小于設定值時，判定所述待測區域不是具有所述電極的發光二極管芯片的圖像。

3.根據權利要求1所述的計數裝置，其特征在于，所述選取單元用于，

將選擇框在所述圖像上以Z字形滑動，每隔一個步長停頓一次，將每次停頓時選擇框中的所述圖像作為所述待測區域，所述步長為每次滑動的距離。

4.根據權利要求1-3任一項所述的計數裝置，其特征在于，所述光源模塊包括：

光源，用于提供所述紅外光或所述紫外光；

調整單元，用于調整所述紅外光或所述紫外光的出射強度。

5.根據權利要求1-3任一項所述的計數裝置，其特征在于，所述取像模塊為電荷耦合元件CCD。

6.一種發光二極管芯片的計數方法，其特征在于，所述計數方法包括：

將紅外光或紫外光照射待檢測的發光二極管芯片，所述發光二極管芯片包括外延片、電極、以及分布式布拉格反射鏡DBR；

獲取紅外光或紫外光穿透所述外延片和所述DBR所產生的圖像；

從所述圖像中識別并統計具有所述電極的發光二極管芯片；

所述從所述圖像中識別并統計具有所述電極的發光二極管芯片，包括：

在所述圖像上選取多個待測區域，所述待測區域的大小與標準圖像相同，所述標準圖像為具有所述電極的發光二極管芯片的圖像，所述多個待測區域的集合覆蓋所述圖像；

獲取各個所述待測區域各個像素的灰度值；

比較各個所述待測區域各個像素的灰度值與所述標準圖像各個像素的灰度值，確定各個所述待測區域是否為具有所述電極的發光二極管芯片的圖像。

7.根據權利要求6所述的計數方法，其特征在于，所述比較各個所述待測區域各個像素的灰度值與所述標準圖像各個像素的灰度值，確定各個所述待測區域是否為具有所述電極的發光二極管芯片的圖像，包括：

當所述待測區域各個像素的灰度值與所述標準圖像各個像素的灰度值的相似度不小于設定值時，判定所述待測區域為具有所述電極的發光二極管芯片的圖像；

當所述待測區域各個像素的灰度值與所述標準圖像各個像素的灰度值的相似度小于設定值時，判定所述待測區域不是具有所述電極的發光二極管芯片的圖像。

8.根據權利要求6所述的計數方法，其特征在于，所述在所述圖像上選取多個待測區域，包括：

將選擇框在所述圖像上以Z字形滑動，每隔一個步長停頓一次，將每次停頓時選擇框中的所述圖像作為所述待測區域，所述步長為每次滑動的距離。