[發(fā)明專利]一種小尺寸片式熱敏電阻及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610057357.2
• 申請日: 2016-01-27
• 公開（公告）號: CN105679478B
• 公開（公告）日: 2018-07-03
• 發(fā)明（設計）人: 包漢青;楊發(fā)強;黃飛;袁仲寧;李瑞清;李方明
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳順絡電子股份有限公司
• 主分類號: H01C17/02
• 分類號: H01C17/02;H01C17/28;H01C7/00
• 代理公司: 深圳新創(chuàng)友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44223
• 代理人: 方艷平

本發(fā)明公開了一種小尺寸片式熱敏電阻及其制作方法，制作方法包括：準備熱敏陶瓷薄片，熱敏陶瓷薄片的厚度等于小尺寸片式熱敏電阻的兩導電端之間的距離；在熱敏陶瓷薄片的兩面采用磁控濺射工藝濺射形成第一導電電極層；將熱敏陶瓷薄片切割成與小尺寸片式熱敏電阻相同尺寸的熱敏電阻芯片，熱敏陶瓷薄片的兩面對應為熱敏電阻芯片的兩導電端；在熱敏電阻芯片上包覆一層玻璃漿料，燒結(jié)形成玻璃層；去除熱敏電阻芯片的兩導電端上的玻璃層以露出第一導電電極層；在熱敏電阻芯片的兩導電端上形成第二導電電極層，形成小尺寸片式熱敏電阻。本發(fā)明提出的小尺寸片式熱敏電阻及其制作方法解決了采用現(xiàn)有技術制備片式熱敏電阻在小型化后遇到的技術瓶頸。

技術領域

本發(fā)明涉及片式熱敏電阻，尤其涉及一種小尺寸片式熱敏電阻及其制作方法。

背景技術

近年來隨著智能手機、智能穿戴功能越來越強，要求元器件尺寸越來越小，一些智能手機、智能穿戴等電子設備逐漸趨向于采用英制0201和01005尺寸以下的被動元器件。而片式熱敏電阻在小型化中遇到幾大技術瓶頸，主要有：第一，因為導電端面積過小(不超過0.08mm²)導致陶瓷與銀電極歐姆接觸很差，導致電氣性能無法達標或極度分散；第二，因為體積只有原來最小規(guī)格0402的八分之一，表面均勻涂覆一層保護玻璃層技術難度極高，傳統(tǒng)涂覆工藝根本無法實現(xiàn)，陶瓷玻璃保護層不良會導致產(chǎn)品經(jīng)過電鍍液、酸性環(huán)境中很快劣化。

發(fā)明內(nèi)容

為解決片式熱敏電阻小型化后遇到的技術瓶頸，本發(fā)明提出一種小尺寸片式熱敏電阻及其制作方法。

為達到上述目的，本發(fā)明采用以下技術方案：

本發(fā)明公開了一種小尺寸片式熱敏電阻的制作方法，包括：

S1：準備熱敏陶瓷薄片，其中所述熱敏陶瓷薄片的厚度等于所述小尺寸片式熱敏電阻的兩導電端之間的距離；

S2：在所述熱敏陶瓷薄片的兩面采用磁控濺射工藝濺射形成第一導電電極層；

S3：將所述熱敏陶瓷薄片切割成與所述小尺寸片式熱敏電阻相同尺寸的熱敏電阻芯片，其中所述熱敏陶瓷薄片的兩面對應為所述熱敏電阻芯片的兩導電端；

S4：在所述熱敏電阻芯片上包覆一層玻璃漿料，燒結(jié)形成玻璃層；

S5：去除所述熱敏電阻芯片的兩導電端上的所述玻璃層以露出所述第一導電電極層；

S6：在所述熱敏電阻芯片的兩導電端上形成第二導電電極層，形成所述小尺寸片式熱敏電阻。

優(yōu)選地，步驟S2中所述磁控濺射工藝中濺射的靶材為Au、Ag、Ni或Cu。

優(yōu)選地，所述第一導電電極層的厚度為3～7μm。

優(yōu)選地，步驟S4中具體包括：采用包糖衣的工藝在所述熱敏電阻芯片的六面上包覆一層均勻的玻璃漿料并燒結(jié)形成玻璃層。

優(yōu)選地，在所述包糖衣的工藝過程中，包糖衣機的轉(zhuǎn)速為20～30r/min，氣流壓力為4～6MPa。

優(yōu)選地，步驟S5中具體包括：采用噴砂工藝將所述熱敏電阻芯片的兩導電端上的玻璃層去除以露出所述第一導電電極層。

優(yōu)選地，所述噴砂工藝的過程中，噴砂壓力為20～25MPa，沙粒粒度在50～100μm。

優(yōu)選地，所述第二導電電極層包括Ag電極層、Ni電極層和Sn電極層，步驟S6中具體包括：在所述熱敏電阻芯片的兩導電端上粘結(jié)Ag漿并燒結(jié)后形成所述Ag電極層，然后在所述Ag電極層上依次電鍍所述Ni電極層和所述Sn電極層，形成所述小尺寸片式熱敏電阻。

本發(fā)明還公開了一種小尺寸片式熱敏電阻，是由上述的制作方法制得的所述小尺寸片式熱敏電阻。