[發明專利]陣列基板及其制作方法有效
| 申請號: | 201610055888.8 | 申請日: | 2016-01-27 |
| 公開(公告)號: | CN105679714B | 公開(公告)日: | 2019-05-31 |
| 發明(設計)人: | 周志超 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/84 | 分類號: | H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制作方法 | ||
本發明提供一種陣列基板及其制作方法。本發明的陣列基板的制作方法,通過采用一半色調光罩、及一道光刻制程對鈍化層及刻蝕阻擋層進行圖案化處理,在鈍化層上形成對應于源極上方的第一過孔,在刻蝕阻擋層上形成位于源極與漏極之間的第二過孔與第三過孔,之后通過一道光刻制程在鈍化層、源極、漏極、及刻蝕阻擋層上方形成經由第一過孔與源極相連的像素電極、經由第二過孔連接源極與有源層的第一連接層、以及經由第三過孔連接漏極與有源層的第二連接層,通過以上制程來減少具有刻蝕阻擋層結構的IGZO陣列基板的光刻制程數,將現有技術的6道光刻制程減少為5道光刻制程,從而節省一道光刻制程,減少了一道光罩的使用,降低了IGZO陣列基板的生產成本。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種陣列基板及其制作方法。
背景技術
隨著顯示技術的發展,液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)等平面顯示裝置因具有高畫質、省電、機身薄及應用范圍廣等優點,而被廣泛的應用于手機、電視、個人數字助理、數字相機、筆記本電腦、臺式計算機等各種消費性電子產品,成為顯示裝置中的主流。
現有市場上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示器,其包括液晶顯示面板及背光模組(backlight module)。液晶顯示面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當中放置液晶分子,兩片玻璃基板中間有許多垂直和水平的細小電線,通過通電與否來控制液晶分子改變方向,將背光模組的光線折射出來產生畫面。
通常液晶顯示面板由彩膜(CF,Color Filter)基板、薄膜晶體管(TFT,Thin FilmTransistor)基板、夾于彩膜基板與薄膜晶體管基板之間的液晶(LC,Liquid Crystal)及密封膠框(Sealant)組成,其成型工藝一般包括:前段陣列(Array)制程(薄膜、黃光、蝕刻及剝膜)、中段成盒(Cell)制程(陣列基板與CF基板貼合)及后段模組組裝制程(驅動IC與印刷電路板壓合)。其中,前段Array制程主要是形成陣列基板,以便于控制液晶分子的運動;中段Cell制程主要是在陣列基板與CF基板之間添加液晶;后段模組組裝制程主要是驅動IC壓合與印刷電路板的整合,進而驅動液晶分子轉動,顯示圖像。
在液晶面板工業中,隨著目前顯示行業中大尺寸化、高解析度的需求越來越強烈,對有源層半導體器件充放電提出了更高的要求。而IGZO(indium gallium zinc oxide,銦鎵鋅氧化物)材料具有的高遷移率、高開態電流、低關態電流可迅速開關等特點能有效滿足以上需求。在目前常用的IGZO陣列基板中,刻蝕阻擋層(ESL,Etching Stop Layer)結構器件因有保護層的存在,其電性的穩定性往往較其他結構更好,但是具有刻蝕阻擋層結構的IGZO陣列基板一般需要進行6道光刻制程,從而需要準備6道光罩,生產成本較高,因此減少光罩數量,對開發低成本的IGZO陣列基板具有重要意義。
發明內容
本發明的目的在于提供一種陣列基板的制作方法,通過將現有技術的6道光刻制程減少為5道光刻制程,從而節省一道光刻制程,減少一道光罩的使用,降低IGZO陣列基板的生產成本。
本發明的目的還在于提供一種陣列基板,在不影響器件穩定性的情況下,減少光罩,降低IGZO陣列基板的生產成本。
為實現上述目的,本發明提供一種陣列基板的制作方法,提供一基板,并在所述基板上依次形成柵極、柵極絕緣層、有源層、刻蝕阻擋層、源極和漏極;然后,在所述源極、漏極、及刻蝕阻擋層上形成鈍化層并在同一道光刻制程中對所述鈍化層和刻蝕阻擋層進行圖案化處理,具體包括:
步驟71、在所述鈍化層上涂布一光阻層;
步驟72、采用一半色調光罩對所述光阻層進行曝光、顯影;
步驟73、通過至少兩次干蝕刻制程對所述光阻層、及鈍化層進行蝕刻,使所述鈍化層上形成裸露出部分源極的第一過孔和位于源極與漏極之間以裸露出刻蝕阻擋層的缺口;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





