[發(fā)明專利]陣列基板及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610055888.8
• 申請日: 2016-01-27
• 公開（公告）號(hào): CN105679714B
• 公開（公告）日: 2019-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周志超
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/84
• 分類號(hào): H01L21/84;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市德力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，提供一基板(10)，并在所述基板(10)上依次形成柵極(20)、柵極絕緣層(30)、有源層(40)、刻蝕阻擋層(50)、源極(51)和漏極(52)；然后，在所述源極(51)、漏極(52)、及刻蝕阻擋層(50)上形成鈍化層(60)并在同一道光刻制程中對(duì)所述鈍化層(60)和刻蝕阻擋層(50)進(jìn)行圖案化處理，具體包括：

步驟71、在所述鈍化層(60)上涂布一光阻層(70)；

步驟72、采用一半色調(diào)光罩(80)對(duì)所述光阻層(70)進(jìn)行曝光、顯影；

步驟73、通過至少兩次干蝕刻制程對(duì)所述光阻層(70)、及鈍化層(60)進(jìn)行蝕刻，使所述鈍化層(60)上形成裸露出部分源極(51)的第一過孔(63)和位于源極(51)與漏極(52)之間且寬度大于源極(51)與漏極(52)之間間隔以裸露出刻蝕阻擋層(50)及部分源極(51)與漏極(52)的缺口(68)；

同時(shí)，在所述刻蝕阻擋層(50)上通過所述缺口(68)裸露出的區(qū)域上形成用于與所述有源層(40)連通的第二過孔(53)與第三過孔(54)；

步驟74、剝離所述鈍化層(60)上殘留的光阻層(70)。

2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，完成所述步驟74后，在所述鈍化層(60)、源極(51)、漏極(52)、及刻蝕阻擋層(50)上形成透明導(dǎo)電層，通過光刻制程對(duì)所述透明導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化處理，得到間斷設(shè)置的像素電極(91)、第一連接層(92)、及第二連接層(93)；

所述像素電極(91)通過第一過孔(63)與源極(51)相連；

所述源極(51)通過所述第一連接層(92)和所述步驟73中形成于所述刻蝕阻擋層(50)上的第二過孔(53)與所述有源層(40)相連；

所述漏極(52)通過所述第二連接層(93)和所述步驟73中形成于所述刻蝕阻擋層(50)上的第三過孔(54)與有源層(40)相連。

3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟73中形成的所述缺口(68)的寬度大于源極(51)與漏極(52)之間的間隔，從而暴露出部分源極(51)和部分漏極(52)。

4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述半色調(diào)光罩(80)上設(shè)有對(duì)應(yīng)于所述源極(51)上方的第一半透明圖案(81)，對(duì)應(yīng)于所述源極(51)與漏極(52)之間的第二、第三、第四半透明圖案(82、83、84)，位于所述第二、第三半透明圖案(82、83)之間的第一完全透明圖案(85)，以及位于第三、第四半透明圖案(83、84)之間的第二完全透明圖案(86)。

5.如權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述柵極(20)、柵極絕緣層(30)、有源層(40)、刻蝕阻擋層(50)、源極(51)、漏極(52)、及鈍化層(60)的制作過程包括如下步驟：

步驟1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上形成第一金屬層，通過光刻制程對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行圖案化處理，得到柵極(20)；

步驟2、在所述柵極(20)、及基板(10)上形成柵極絕緣層(30)；

步驟3、在所述柵極絕緣層(30)上形成氧化物半導(dǎo)體層，通過光刻制程對(duì)所述氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行圖案化處理，得到對(duì)應(yīng)于所述柵極(20)上方的有源層(40)；

步驟4、在所述有源層(40)、及柵極絕緣層(30)上形成刻蝕阻擋層(50)；

步驟5、在所述刻蝕阻擋層(50)上形成第二金屬層，通過光刻制程對(duì)所述第二金屬層進(jìn)行圖案化處理，得到分別對(duì)應(yīng)于所述有源層(40)兩側(cè)的源極(51)與漏極(52)；

步驟6、在所述源極(51)、漏極(52)、及刻蝕阻擋層(50)上形成鈍化層(60)。

6.如權(quán)利要求5所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟1中，采用物理氣相沉積方法形成第一金屬層；所述步驟2中，采用化學(xué)氣相沉積方法形成柵極絕緣層(30)；所述步驟3中，采用物理氣相沉積方法形成氧化物半導(dǎo)體層；所述步驟4中，采用化學(xué)氣相沉積方法形成刻蝕阻擋層(50)；所述步驟5中，采用物理氣相沉積方法形成第二金屬層。