[發(fā)明專利]像素單元、陣列基板及其制作方法

有效

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• 申請日: 2016-01-27
• 公開（公告）號: CN105487300B
• 公開（公告）日: 2017-12-19
• 發(fā)明（設計）人: 邵喜斌;陳東川;廖燕平;張振宇
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1337
• 分類號: G02F1/1337;G02F1/1362;H01L27/12
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 李靜嵐,景軍平

技術領域

本發(fā)明涉及顯示領域，尤其涉及像素單元、陣列基板及其制作方法。

背景技術

現(xiàn)有技術中,像素單元通常設置在由相鄰兩條柵線和相鄰兩條數(shù)據(jù)線（其中，柵線與數(shù)據(jù)線交叉）所圍成的最小單元的區(qū)域中。當像素單元中的狹縫電極（例如，像素電極）的狹縫傾斜方向相同時，可以提高光透過率，但是會造成左、右和上、下視角下的色彩偏差。

發(fā)明內(nèi)容

針對現(xiàn)有技術中的上述問題，提出了本發(fā)明的技術方案。本發(fā)明提供了一種具有多個疇區(qū)的像素單元結構以及具有該像素單元結構的陣列基板，其能夠在最大程度上消除色彩偏差的問題，并且具有良好的光透過率。

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種像素單元。所述像素單元包括狹縫電極，該像素單元包括四個分區(qū)，所述四個分區(qū)中的狹縫電極之間相互電連接。所述像素單元在所述四個分區(qū)中的每一個分區(qū)中的狹縫電極的狹縫傾斜方向一致，并且所述像素單元在所述四個分區(qū)中的任意兩個相鄰分區(qū)中的狹縫電極的狹縫傾斜方向不同。

在一個實施例中，所述像素單元位于柵線與數(shù)據(jù)線交叉的位置處，并且所述像素單元的四個分區(qū)由相應的柵線和數(shù)據(jù)線劃分。

在一個實施例中，所述像素單元在所述四個分區(qū)中的狹縫電極的狹縫傾斜方向關于所述柵線和/或數(shù)據(jù)線呈鏡像對稱。

在一個實施例中，所述像素單元的狹縫電極的狹縫傾斜方向與所述柵線之間的銳角角度在3-20度之間。

在一個實施例中，所述像素單元的狹縫電極的狹縫傾斜方向與所述數(shù)據(jù)線之間的銳角角度在3-20度之間。

在一個實施例中，由相鄰兩條柵線和相鄰兩條數(shù)據(jù)線所圍成的區(qū)域為一個最小單元，所述像素單元的四個分區(qū)分別包括在四個相鄰的最小單元中，并且每個最小單元包括分別屬于四個相鄰像素單元的四個分區(qū)。

在一個實施例中，包括在同一個最小單元內(nèi)的四個分區(qū)中的狹縫電極相互電隔離，并且包括在同一個最小單元內(nèi)的四個分區(qū)中的狹縫電極具有相同的狹縫傾斜方向。

在一個實施例中，所述四個分區(qū)所占的開口面積相等。

在一個實施例中，所述狹縫電極是像素電極。

在一個實施例中，所述像素單元還包括公共電極以及位于柵線和數(shù)據(jù)線交點處的薄膜晶體管，其中所述薄膜晶體管的源極與所述數(shù)據(jù)線電連接，所述薄膜晶體管的漏極與所述狹縫電極通過過孔電連接。

在一個實施例中，所述狹縫電極是公共電極。

根據(jù)本發(fā)明的像素單元設置在柵線與數(shù)據(jù)線交叉的位置處，并且包括了由柵線和數(shù)據(jù)線劃分的彼此電連接的四個分區(qū)。由于根據(jù)本發(fā)明的像素單元在任意兩個相鄰分區(qū)中的狹縫電極的狹縫傾斜方向不同，因此根據(jù)本發(fā)明的像素單元在上、下方向和左、右方向上均包括了多個疇區(qū)。因而，根據(jù)本發(fā)明的像素單元不僅改善了上、下色彩偏差，還改善了左、右色彩偏差，因此在最大程度上消除了色彩偏差的問題。

此外，由于根據(jù)本發(fā)明的像素單元設置在柵線與數(shù)據(jù)線交叉的位置處，所以由相鄰兩條柵線和相鄰兩條數(shù)據(jù)線所圍成的最小單元可以包括分別屬于四個相鄰像素單元的四個分區(qū)。將包括在同一個最小單元內(nèi)的四個分區(qū)中的狹縫電極設置為具有相同的狹縫傾斜方向，因此在同一最小單元內(nèi)的液晶分子取向一致，從而提供了良好的光透過率。

根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種陣列基板。所述陣列基板包括交叉設置的多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，以及設置在各條柵線與各條數(shù)據(jù)線的交叉位置處的多個像素單元，每個像素單元包括狹縫電極，并且每個像素單元包括由柵線和數(shù)據(jù)線劃分的四個分區(qū)，所述四個分區(qū)中的狹縫電極之間相互電連接，其中，每個像素單元在所述四個分區(qū)中的每一個分區(qū)中的狹縫電極的狹縫傾斜方向一致，并且每個像素單元在所述四個分區(qū)中的任意兩個相鄰分區(qū)中的狹縫電極的狹縫傾斜方向不同。

在一個實施例中，由相鄰兩條柵線和相鄰兩條數(shù)據(jù)線所圍成的區(qū)域為一個最小單元，所述像素單元的四個分區(qū)分別包括在四個相鄰的最小單元中，并且每個最小單元包括分別屬于四個相鄰像素單元的四個分區(qū)。

在一個實施例中，包括在同一個最小單元內(nèi)的四個分區(qū)中的狹縫電極相互電隔離，并且包括在同一個最小單元內(nèi)的四個分區(qū)中的狹縫電極具有相同的狹縫傾斜方向。

在一個實施例中，所述四個分區(qū)所占的開口面積相等。

在一個實施例中，所述狹縫電極是像素電極。