[發(fā)明專利]像素單元、陣列基板及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610054185.3 | 申請日: | 2016-01-27 |
| 公開(公告)號: | CN105487300B | 公開(公告)日: | 2017-12-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 邵喜斌;陳東川;廖燕平;張振宇 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1337 | 分類號: | G02F1/1337;G02F1/1362;H01L27/12 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 李靜嵐,景軍平 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 像素 單元 陣列 及其 制作方法 | ||
1.一種像素單元,包括狹縫電極,其特征在于,該像素單元包括四個(gè)分區(qū),所述四個(gè)分區(qū)中的狹縫電極之間相互電連接,
所述像素單元在所述四個(gè)分區(qū)中的每一個(gè)分區(qū)中的狹縫電極的狹縫傾斜方向一致,并且所述像素單元在所述四個(gè)分區(qū)中的任意兩個(gè)相鄰分區(qū)中的狹縫電極的狹縫傾斜方向不同,并且
其中,所述像素單元位于柵線與數(shù)據(jù)線交叉的位置處,并且所述像素單元的四個(gè)分區(qū)由相應(yīng)的柵線和數(shù)據(jù)線劃分,
其中,由相鄰兩條柵線和相鄰兩條數(shù)據(jù)線所圍成的區(qū)域?yàn)橐粋€(gè)最小單元,所述像素單元的四個(gè)分區(qū)分別包括在四個(gè)相鄰的最小單元中,并且每個(gè)最小單元包括分別屬于四個(gè)相鄰像素單元的四個(gè)分區(qū),并且
其中,包括在同一個(gè)最小單元內(nèi)的四個(gè)分區(qū)中的狹縫電極相互電隔離,并且包括在同一個(gè)最小單元內(nèi)的四個(gè)分區(qū)中的狹縫電極具有相同的狹縫傾斜方向。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素單元,其特征在于,所述像素單元在所述四個(gè)分區(qū)中的狹縫電極的狹縫傾斜方向關(guān)于所述柵線和/或數(shù)據(jù)線呈鏡像對稱。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的像素單元,其特征在于,所述像素單元的狹縫電極的狹縫傾斜方向與所述柵線之間的銳角角度在3-20度之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的像素單元,其特征在于,所述像素單元的狹縫電極的狹縫傾斜方向與所述數(shù)據(jù)線之間的銳角角度在3-20度之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的像素單元,其特征在于,所述四個(gè)分區(qū)所占的開口面積相等。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的像素單元,其特征在于,所述狹縫電極是像素電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的像素單元,其特征在于,所述像素單元還包括公共電極以及位于柵線和數(shù)據(jù)線交點(diǎn)處的薄膜晶體管,其中所述薄膜晶體管的源極與所述數(shù)據(jù)線電連接,所述薄膜晶體管的漏極與所述狹縫電極通過過孔電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的像素單元,其特征在于,所述狹縫電極是公共電極。
9.一種陣列基板,包括交叉設(shè)置的多條柵線和多條數(shù)據(jù)線,以及設(shè)置在各條柵線與各條數(shù)據(jù)線的交叉位置處的多個(gè)像素單元,每個(gè)像素單元包括狹縫電極,并且每個(gè)像素單元包括由柵線和數(shù)據(jù)線劃分的四個(gè)分區(qū),所述四個(gè)分區(qū)中的狹縫電極之間相互電連接,
其中,每個(gè)像素單元在所述四個(gè)分區(qū)中的每一個(gè)分區(qū)中的狹縫電極的狹縫傾斜方向一致,并且每個(gè)像素單元在所述四個(gè)分區(qū)中的任意兩個(gè)相鄰分區(qū)中的狹縫電極的狹縫傾斜方向不同,
其中,由相鄰兩條柵線和相鄰兩條數(shù)據(jù)線所圍成的區(qū)域?yàn)橐粋€(gè)最小單元,所述像素單元的四個(gè)分區(qū)分別包括在四個(gè)相鄰的最小單元中,并且每個(gè)最小單元包括分別屬于四個(gè)相鄰像素單元的四個(gè)分區(qū),并且
其中,包括在同一個(gè)最小單元內(nèi)的四個(gè)分區(qū)中的狹縫電極相互電隔離,并且包括在同一個(gè)最小單元內(nèi)的四個(gè)分區(qū)中的狹縫電極具有相同的狹縫傾斜方向。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板,其中,所述四個(gè)分區(qū)所占的開口面積相等。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板,其中,所述狹縫電極是像素電極。
12.一種制作陣列基板的方法,包括步驟:
形成交叉設(shè)置的多條柵線和多條數(shù)據(jù)線;以及
在各條柵線與各條數(shù)據(jù)線的交叉位置處設(shè)置多個(gè)像素單元,每個(gè)像素單元包括狹縫電極,并且每個(gè)像素單元包括由柵線和數(shù)據(jù)線劃分的四個(gè)分區(qū),所述四個(gè)分區(qū)中的狹縫電極之間相互電連接,
其中,每個(gè)像素單元在所述四個(gè)分區(qū)中的每一個(gè)分區(qū)中的狹縫電極的狹縫傾斜方向一致,并且每個(gè)像素單元在所述四個(gè)分區(qū)中的任意兩個(gè)相鄰分區(qū)中的狹縫電極的狹縫傾斜方向不同,
其中,由相鄰兩條柵線和相鄰兩條數(shù)據(jù)線所圍成的區(qū)域?yàn)橐粋€(gè)最小單元,所述像素單元的四個(gè)分區(qū)分別包括在四個(gè)相鄰的最小單元中,并且每個(gè)最小單元包括分別屬于四個(gè)相鄰像素單元的四個(gè)分區(qū),并且
其中,包括在同一個(gè)最小單元內(nèi)的四個(gè)分區(qū)中的狹縫電極相互電隔離,并且包括在同一個(gè)最小單元內(nèi)的四個(gè)分區(qū)中的狹縫電極具有相同的狹縫傾斜方向。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其中,所述四個(gè)分區(qū)所占的開口面積相等。
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G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
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G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的





