[發(fā)明專(zhuān)利]量子點(diǎn)發(fā)光器件及其制備方法及液晶顯示裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610048567.5
• 申請(qǐng)日: 2016-01-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105470387A
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-04-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐超
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L51/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L51/00;H01L51/54;H01L51/56;G02F1/1333
• 代理公司: 廣州三環(huán)專(zhuān)利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強(qiáng)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種量子點(diǎn)發(fā)光器件及其制備方法及液晶顯示裝置。

背景技術(shù)

量子點(diǎn)發(fā)光器件，比如，量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QuantumdotLightEmittingDiode，QLED)因具有色域廣、色純度高、穩(wěn)定性好、低功耗、低成本等優(yōu)點(diǎn)被譽(yù)為繼有機(jī)發(fā)光器件之后的新一代照明器件。量子點(diǎn)發(fā)光二極管包括量子點(diǎn)發(fā)光層、空穴傳輸層及電子傳輸層。所述電子傳輸層、所述量子點(diǎn)發(fā)光層及所述空穴傳輸層依次層疊設(shè)置。所述電子傳輸層、所述量子點(diǎn)發(fā)光層及所述空穴傳輸層通常將相應(yīng)的材料溶解在有機(jī)溶劑中，再通過(guò)旋涂的方式濕法單獨(dú)成膜。即，所述電子傳輸層、所述量子點(diǎn)發(fā)光層及所述空穴傳輸層分為三層來(lái)制備。通常，先制備出一層，再接著制備另一層。由于成膜的時(shí)候會(huì)用到有機(jī)溶劑，因此，在量子點(diǎn)發(fā)光二極管制備過(guò)程中，正在制作的膜層會(huì)對(duì)已經(jīng)制作好的相鄰的膜層造成破壞，從而造成量子點(diǎn)發(fā)光二極管發(fā)光效率的降低及制備成功率的降低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種量子點(diǎn)發(fā)光器件，所述量子點(diǎn)發(fā)光器件包括基板、陽(yáng)極、空穴注入和空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、電子注入和電子傳輸層及陰極，所述陽(yáng)極設(shè)置在所述基板上，所述陽(yáng)極與所述陰極設(shè)置在所述基板的同側(cè)，且所述陽(yáng)極和所述陰極相對(duì)且間隔設(shè)置，所述空穴注入和空穴傳輸層、所述量子點(diǎn)發(fā)光層及所述電子注入和電子傳輸層夾設(shè)在所述陽(yáng)極和所述陰極之間，所述空穴注入和空穴傳輸層的一面與所述陽(yáng)極相連，所述量子點(diǎn)發(fā)光層及所述電子注入和電子傳輸層依次層疊設(shè)置在所述空穴注入和空穴傳輸層遠(yuǎn)離所述陽(yáng)極的一面，且所述電子注入和電子傳輸層遠(yuǎn)離所述量子點(diǎn)發(fā)光層的一面與所述陰極相連，所述陽(yáng)極用于提供空穴，所述陰極用于提供電子，所述空穴注入和空穴傳輸層用于將所述空穴傳輸至所述量子點(diǎn)發(fā)光層，所述電子注入和電子傳輸層用于將所述電子傳輸至所述量子點(diǎn)發(fā)光層，所述空穴和所述電子在所述量子點(diǎn)發(fā)光層中復(fù)合以發(fā)光，其中，所述電子注入和電子傳輸層包括水醇溶性共軛聚合物。

其中，所述水醇溶性共軛聚合物包括PFN、PFNBr、PFNSO中的任意一種或者多種。

其中，所述陽(yáng)極包括氧化銦錫。

其中，所述空穴注入和空穴傳輸層包括PEDOT：PSS或者P型金屬氧化物納米粒子，其中，所述P型金屬氧化物納米粒子包括MoO3、NiO、V2O5及WoO3的任意一種或者多種。

其中，所述空穴注入和空穴傳輸層的厚度為10～15nm。

其中，所述量子點(diǎn)發(fā)光層的厚度為30～40nm。

其中，所述量子點(diǎn)發(fā)光層包括單層或者多層量子點(diǎn)。

其中，所述陰極包括鋁，所述陰極的厚度為100～150nm。

本發(fā)明還提供了一種量子點(diǎn)發(fā)光器件的制備方法，所述量子點(diǎn)發(fā)光器件的制備方法包括：

提供基板；

在所述基板的表面上形成陽(yáng)極；

在所述陽(yáng)極遠(yuǎn)離所述基板的表面涂布空穴注入和空穴傳輸材料以形成空穴注入和空穴傳輸層；

在所述空穴注入和空穴傳輸層遠(yuǎn)離所述陽(yáng)極的表面涂布量子點(diǎn)發(fā)光材料以形成量子點(diǎn)發(fā)光層；

在所述量子點(diǎn)發(fā)光層遠(yuǎn)離所述空穴注入和空穴傳輸層的表面涂布電子注入和電子傳輸材料以形成電子注入和電子傳輸層，其中，所述電子注入和電子傳輸層包括水醇溶性共軛聚合物；

在所述電子注入和電子傳輸層遠(yuǎn)離所述量子點(diǎn)發(fā)光層的表面沉積金屬以形成陰極。

本發(fā)明還提供了一種液晶顯示裝置，所述液晶顯示裝置包括前述任一實(shí)施方式所述的量子點(diǎn)發(fā)光器件。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的量子點(diǎn)發(fā)光器件的電子注入和電子傳輸層包括水醇溶性共軛聚合物可以溶解在極性較大的溶劑中，比如，水、甲醛等。可以避免所述電子注入和電子傳輸層制備成膜時(shí)對(duì)所述量子點(diǎn)發(fā)光層產(chǎn)生破壞，因此，可以提高所述量子點(diǎn)發(fā)光器件的性能。進(jìn)一步地，所述水醇溶性共軛聚合物是無(wú)毒的，在生產(chǎn)過(guò)程中對(duì)環(huán)境無(wú)污染，綠色環(huán)保。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的量子點(diǎn)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的量子點(diǎn)發(fā)光器件的制備方法的流程圖。

圖3為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式