[發(fā)明專利]量子點發(fā)光器件及其制備方法及液晶顯示裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610048567.5
• 申請日: 2016-01-25
• 公開（公告）號: CN105470387A
• 公開（公告）日: 2016-04-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐超
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L51/00
• 分類號: H01L51/00;H01L51/54;H01L51/56;G02F1/1333
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種量子點發(fā)光器件，其特征在于，所述量子點發(fā)光器件包括基板、陽極、空穴注入和空穴傳輸層、量子點發(fā)光層、電子注入和電子傳輸層及陰極，所述陽極設(shè)置在所述基板上，所述陽極與所述陰極設(shè)置在所述基板的同側(cè)，且所述陽極和所述陰極相對且間隔設(shè)置，所述空穴注入和空穴傳輸層、所述量子點發(fā)光層及所述電子注入和電子傳輸層夾設(shè)在所述陽極和所述陰極之間，所述空穴注入和空穴傳輸層的一面與所述陽極相連，所述量子點發(fā)光層及所述電子注入和電子傳輸層依次層疊設(shè)置在所述空穴注入和空穴傳輸層遠離所述陽極的一面，且所述電子注入和電子傳輸層遠離所述量子點發(fā)光層的一面與所述陰極相連，所述陽極用于提供空穴，所述陰極用于提供電子，所述空穴注入和空穴傳輸層用于將所述空穴傳輸至所述量子點發(fā)光層，所述電子注入和電子傳輸層用于將所述電子傳輸至所述量子點發(fā)光層，所述空穴和所述電子在所述量子點發(fā)光層中復(fù)合以發(fā)光，其中，所述電子注入和電子傳輸層包括水醇溶性共軛聚合物。

2.如權(quán)利要求1所述的量子點發(fā)光器件，其特征在于，所述水醇溶性共軛聚合物包括PFN、PFNBr、PFNSO中的任意一種或者多種。

3.如權(quán)利要求1所述的量子點發(fā)光器件，其特征在于，所述陽極包括氧化銦錫。

4.如權(quán)利要求1所述的量子點發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入和空穴傳輸層包括PEDOT：PSS或者P型金屬氧化物納米粒子，其中，所述P型金屬氧化物納米粒子包括MoO3、NiO、V2O5及WoO3的任意一種或者多種。

5.如權(quán)利要求1所述的量子點發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入和空穴傳輸層的厚度為10～15nm。

6.如權(quán)利要求1所述的量子點發(fā)光器件，其特征在于，所述量子點發(fā)光層的厚度為30～40nm。

7.如權(quán)利要求1所述的量子點發(fā)光器件，其特征在于，所述量子點發(fā)光層包括單層或者多層量子點。

8.如權(quán)利要求1所述的量子點發(fā)光器件，其特征在于，所述陰極包括鋁，所述陰極的厚度為100～150nm。

9.一種量子點發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述量子點發(fā)光器件的制備方法包括：

提供基板；

在所述基板的表面上形成陽極；

在所述陽極遠離所述基板的表面涂布空穴注入和空穴傳輸材料以形成空穴注入和空穴傳輸層；

在所述空穴注入和空穴傳輸層遠離所述陽極的表面涂布量子點發(fā)光材料以形成量子點發(fā)光層；

在所述量子點發(fā)光層遠離所述空穴注入和空穴傳輸層的表面涂布電子注入和電子傳輸材料以形成電子注入和電子傳輸層，其中，所述電子注入和電子傳輸層包括水醇溶性共軛聚合物；

在所述電子注入和電子傳輸層遠離所述量子點發(fā)光層的表面沉積金屬以形成陰極。

10.一種液晶顯示裝置，其特征在于，所述液晶顯示裝置包括如權(quán)利要求1至8任意一項所述的量子點發(fā)光器件。