[發(fā)明專利]銅選擇性蝕刻液和鈦選擇性蝕刻液在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610046399.6 | 申請日: | 2016-01-25 |
| 公開(公告)號: | CN105603425A | 公開(公告)日: | 2016-05-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 江月華 | 申請(專利權(quán))人: | 熙騰電子科技(上海)有限公司 |
| 主分類號: | C23F1/14 | 分類號: | C23F1/14;C23F1/38 |
| 代理公司: | 上海領(lǐng)洋專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31292 | 代理人: | 羅曉鵬 |
| 地址: | 201206 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 選擇性 蝕刻 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于半導體元件加工技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及銅選擇性蝕刻液和鈦選 擇性蝕刻液。
背景技術(shù)
ROHS法(RestrictionofHazardousSubstSnces)國際標準對廣泛應(yīng)用于半 導體、印刷電路板、IC卡等設(shè)備上的半導體元件(比如凸塊)的無鉛(Pb) 化管理做了強制性規(guī)定。制作無鉛焊料凸塊的過程為,首先在半導體基板(如 硅(Si)基板)上通過濺射法依次堆積出數(shù)百納米厚的屏障層鈦(Ti)金屬 膜和數(shù)百納米厚的作為電鍍銅的種子層或電極的銅(Cu)金屬膜;其次,以 Cu金屬膜作為電極通過電鍍法堆積出數(shù)至數(shù)十微米厚的Cu柱(Cu-pillar); 然后,再在Cu柱上依次堆積出數(shù)至數(shù)十微米厚的鎳(Ni)或鉻(Cr)積層和 數(shù)至數(shù)十微米厚的無鉛Sn/Ag、Sn/Zn等合金積層;在半導體基板上堆積各 類金屬薄膜積層過程中及之后,可通過光蝕微影法和蝕刻技術(shù)將鈦(Ti)金 屬膜及其上面的Cu金屬膜進行蝕刻,加工成無鉛焊料凸塊的模型。
蝕刻技術(shù)通常為化學藥品蝕刻,即濕法腐蝕,濕法腐蝕具有以下優(yōu)點: 首先無需高成本的配置,所使用的化學藥品(蝕刻液)也比較廉價,經(jīng)濟成 本較低;其次,在處理面積較大或是數(shù)量角度的基板時,也可以實現(xiàn)蝕刻的 均勻性;另外,蝕刻過程不受蝕刻對象的大小和形狀的限制,可以用于三維 結(jié)構(gòu)物體。目前濕法腐蝕在薄膜生產(chǎn)領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用。
制作無鉛焊料凸塊時,蝕刻液的腐蝕能力和選擇性將直接影響無鉛焊料 凸塊形狀的精確性和穩(wěn)定性。理想情況下,對Cu金屬膜進行蝕刻時應(yīng)避免 腐蝕無鉛Sn/Ag、Sn/Zn等合金積層,而對Ti金屬膜進行蝕刻時應(yīng)避免腐蝕 Sn/Ag、Sn/Zn等合金積層還應(yīng)避免腐蝕Cu柱。
現(xiàn)有的Cu金屬膜蝕刻液主要是含有胺、氨水等成分的堿性蝕刻液或是 由三氯化鐵和鹽酸的混合液及硫酸和過氧化氫的混合液等構(gòu)成的酸性蝕刻 液。
現(xiàn)有的Ti金屬膜蝕刻液主要為酸性蝕刻液,比如氟酸和過氧化氫混合 液,氟酸和硝酸的混合液,或是鹽酸/硝酸=1:9~1:20的逆王水用醋酸稀釋 20~25倍以后得到的混合液。
含有氟酸的蝕刻液在蝕刻工藝中使用較為廣泛,但是氟酸屬于有毒物 質(zhì),而且可溶解多種金屬,不具有選擇性,能夠?qū)εcTi金屬膜同時存在的 Ni、鋁(Al)以及無鉛Sn/Ag、Sn/Zn等合金造成極大損害(腐蝕)。
不含氟酸的普通酸性蝕刻液也存在很多問題,首先腐蝕選擇性較差,易 腐蝕無鉛Sn/Ag、Sn/Zn等合金;其次酸性溶液中過氧化氫易分解,對過氧 化氫的含量控制將變得更加困難;再者,溶解速度較快,咬邊現(xiàn)象比較突出, 對凸塊的尺寸重現(xiàn)性及形狀也有較大影響。
對Ti金屬膜進行選擇性蝕刻的蝕刻方法,目前有報道是將過氧化氫和 螯合劑結(jié)合使用,這些方法是使用含有過氧化氫的酸性蝕刻液對Ti金屬膜 進行蝕刻,蝕刻過程過氧化氫起氧化作用、螯合劑起絡(luò)合作用,可使Ti的 溶解化學平衡向溶解方向移動,加快Ti的溶解速度。常用的螯合劑為乙二 胺四乙酸(EDTA),但是EDTA遇過氧化氫后可經(jīng)過N-氧化物的催化被迅速 氧化分解,使得蝕刻液壽命較短。而且含有過氧化氫的酸性蝕刻液在反應(yīng)過 程中,過氧化氫會逐漸分解,從而也會導致蝕刻液壽命縮短,無法有效控制 蝕刻液中的過氧化氫濃度。另外與其他酸性蝕刻液相同,蝕刻速度較快,容 易側(cè)向蝕刻造成焊接咬邊及產(chǎn)生蝕刻殘渣。
現(xiàn)有的鈦選擇性蝕刻液的Ti/Cu的選擇蝕刻比相對較低,加之目前文獻 中尚未有關(guān)于在Ti蝕刻時是否對無鉛Sn/Ag、Sn/Zn等合金產(chǎn)生影響等相關(guān) 內(nèi)容的記述,對于無鉛焊料凸塊制作工藝的適用性尚不明確。
因此,在無鉛焊料凸塊的制作工藝中,急需研發(fā)出對無鉛Sn/Ag、Sn/Zn 等合金和Cu柱沒有負面影響的蝕刻液。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)中無鉛焊料凸塊制作組工藝中使用的蝕刻液的蝕刻選擇 性和均勻性相對較低的問題,本發(fā)明的目的在于提供一種可確保對銅金屬膜 蝕刻的選擇性和均勻性的銅選擇性蝕刻液。
本發(fā)明的銅選擇性蝕刻液由銅氧化液和銅螯合液組成,所述銅氧化液包 括氧化劑和/或水、所述銅螯合液包括草酸鹽、氨基羧酸和水,所述銅選擇 性蝕刻液pH值為6.0~8.5。
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