[發明專利]NAND存儲器的多比特編程方法及裝置

有效

• 申請號: 201610045632.9
• 申請日: 2016-01-22
• 公開（公告）號: CN105719693B
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發明（設計）人: 靳旭;伍冬;吳華強;錢鶴;曹堪宇;朱一明
• 申請（專利權）人: 清華大學;北京兆易創新科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10;G11C16/34
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云;王曉燕

1.一種NAND存儲器的多比特編程方法，包括：

將被編程的多比特數據寫入數據鎖存器組，所述多比特數據為格雷碼碼字；

通過加速編碼將所述多比特數據從所述格雷碼碼字轉換為加速編碼碼字；

對存儲陣列中需要被編程的存儲單元進行編程；

對被編程的各所述存儲單元執行編程驗證操作；

對被編程的各所述存儲單元執行鎖存掃描操作；以及

對被編程的各所述存儲單元執行確認掃描操作；

其中，所述加速編碼包括對多個電壓等級進行編碼，其中，低電壓等級對應的加速編碼碼字中包括的“0”的數目不少于高電壓等級對應的加速編碼碼字中包括的“0”的數目；以及

對于包括相等“0”數目的電壓等級，通過轉換與所述電壓等級對應的格雷碼碼字的最少數目的數據鎖存器來得到所述電壓等級的加速編碼碼字。

2.如權利要求1所述的方法，其中，

對被編程的各所述存儲單元執行編程驗證操作包括：

選擇第一驗證電壓，并且驗證已編入各所述存儲單元的電壓是否達到所述第一驗證電壓；

對被編程的各所述存儲單元執行鎖存掃描操作包括：

將通過所述第一驗證電壓的編程驗證并且目標閾值電壓為所述第一驗證電壓的存儲單元的數據鎖存器組設置為鎖存狀態，以及將未通過所述第一驗證電壓的編程驗證和/或目標閾值電壓不是所述第一驗證電壓的存儲單元的數據鎖存器組的狀態保持不變；

對被編程的各所述存儲單元執行確認掃描操作包括：

對于數據鎖存器組為鎖存狀態的存儲單元，將其判斷鎖存器設置為成功鎖存狀態，以及對于數據鎖存器組不是鎖存狀態的存儲單元，將其判斷鎖存器設置為鎖存不成功狀態。

3.如權利要求2所述的方法，其中，將通過所述第一驗證電壓的編程驗證并且目標閾值電壓為所述第一驗證電壓的存儲單元的數據鎖存器組設置為鎖存狀態，以及將未通過所述第一驗證電壓的編程驗證和/或目標閾值電壓不是所述第一驗證電壓的存儲單元的數據鎖存器組的狀態保持不變，包括：

檢測所述存儲單元對應的數據鎖存器組存儲的加速編碼碼字中“0”的數量和位置是否與所述第一驗證電壓對應的加速編碼碼字中“0”的數量和位置相一致，并且檢測所述存儲單元對應的電壓驗證鎖存器是否為通過狀態；

如果所述存儲單元對應的數據鎖存器組存儲的加速編碼碼字中“0”的數量和位置與所述第一驗證電壓對應的加速編碼碼字中“0”的數量和位置相一致，且所述存儲單元對應的電壓驗證鎖存器為通過狀態，設置與所述存儲單元對應的數據鎖存器組為鎖存狀態；以及

如果所述存儲單元對應的數據鎖存器組存儲的加速編碼碼字中“0”的數量和位置與所述第一驗證電壓對應的加速編碼碼字中“0”的數量和位置不一致，和/或所述存儲單元對應的電壓驗證鎖存器為不通過狀態，保持與所述存儲單元對應的數據鎖存器組的狀態不變。

4.如權利要求3所述的方法，其中，

當所述電壓驗證鎖存器為不通過狀態時，所述電壓驗證鎖存器的值為“1”；

當所述電壓驗證鎖存器為通過狀態時，所述電壓驗證鎖存器的值為“0”；以及

檢測所述存儲單元對應的數據鎖存器組存儲的加速編碼碼字中“0”的數量和位置是否與所述第一驗證電壓對應的加速編碼碼字中“0”的數量和位置相一致，并且檢測所述存儲單元對應的電壓驗證鎖存器是否為通過狀態，包括：

對總線進行充電；

讀取所述存儲單元的、并且與所述第一驗證電壓的加速編碼碼字中“0”的位置相對應的數據鎖存器的值，以及讀取與所述存儲單元對應的電壓驗證鎖存器的值；

拉高被讀取的所述數據鎖存器，

其中，如果被讀取的所述數據鎖存器的值以及所述電壓驗證鎖存器的值均為“0”，與所述存儲單元對應的數據鎖存器組被設置為鎖存狀態；

如果被讀取的所述數據鎖存器的值和/或所述電壓驗證鎖存器的值中至少一個不為“0”，與所述存儲單元對應的數據鎖存器組的狀態保持不變。