[發明專利]一種具有高穩定度的超低功耗時鐘電路有效
| 申請號: | 201610045325.0 | 申請日: | 2016-01-22 |
| 公開(公告)號: | CN105515550B | 公開(公告)日: | 2017-12-29 |
| 發明(設計)人: | 易俊;柯慶福 | 申請(專利權)人: | 英麥科(廈門)微電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H03K3/011 | 分類號: | H03K3/011;H03K3/012;H03K3/02 |
| 代理公司: | 廈門市精誠新創知識產權代理有限公司35218 | 代理人: | 何家富 |
| 地址: | 361000 福建省*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 穩定 功耗 時鐘 電路 | ||
1.一種具有高穩定度的超低功耗時鐘電路,包括時鐘振蕩電路和供電電路,所述供電電路為時鐘振蕩電路供電,其特征在于:所述供電電路包括N型第一晶體管和第二晶體管、P型第三晶體管和第一電容,所述N型第一晶體管和P型第三晶體管串聯后接在電源V_DD與地之間,所述N型第一晶體管的偏置電壓加載端接時鐘振蕩電路的電源輸入端,所述P型第三晶體管的偏置電壓加載端接基準電壓,所述電源V_DD與N型第一晶體之間接入第三基準電流,所述第一電容與N型第一晶體管和P型第三晶體管并聯,所述N型第二晶體管接在電源V_DD與N型第一晶體管的偏置電壓加載端之間,構成負反饋電路,所述N型第二晶體管的偏置電壓加載端接在第三基準電流和N型第一晶體管之間的節點。
2.根據權利要求1所述的具有高穩定度的超低功耗時鐘電路,其特征在于:所述N型第一晶體管為N型MOS管或NPN三極管。
3.根據權利要求1所述的具有高穩定度的超低功耗時鐘電路,其特征在于:所述N型第二晶體管為N型MOS管或NPN三極管。
4.根據權利要求1所述的具有高穩定度的超低功耗時鐘電路,其特征在于:所述P型第三晶體管為P型MOS管或PNP三極管。
5.根據權利要求1-4任一項所述的具有高穩定度的超低功耗時鐘電路,其特征在于:所述時鐘振蕩電路包括充放電電路和與充放電電路連接的遲滯電路,所述充放電電路包括第一基準電流IBIAS1、第二基準電流IBIAS2、第二電容、第四N型MOS管和第五P型MOS管,所述第一基準電流IBIAS1、第五P型MOS管、第四N型MOS管和第二基準電流IBIAS2依次串聯后接在N型第一晶體管的偏置電壓加載端與地之間,所述第二電容的上極板接在第四N型MOS管和第五P型MOS管之間的節點上,所述第二電容的下極板接地,所述第四N型MOS管和第五P型MOS管的柵極接時鐘信號輸出端。
6.根據權利要求1-4任一項所述的具有高穩定度的超低功耗時鐘電路,其特征在于:所述時鐘振蕩電路包括充放電電路和與充放電電路連接的遲滯電路,所述充放電電路包括第一基準電流IBIAS1、電阻R1、第二電容、第四N型MOS管和第五P型MOS管,所述第一基準電流IBIAS1、第五P型MOS管、第四N型MOS管和電阻R1依次串聯后接在N型第一晶體管的偏置電壓加載端與地之間,所述第二電容的上極板接在第四N型MOS管和第五P型MOS管之間的節點上,所述第二電容的下極板接地,所述第四N型MOS管和第五P型MOS管的柵極接時鐘信號輸出端。
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