[發(fā)明專利]分柵式場效應(yīng)晶體管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610044800.2
• 申請日: 2010-10-20
• 公開（公告）號: CN105655390B
• 公開（公告）日: 2018-11-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: K.特里爾;G.楊;C.帕克
• 申請（專利權(quán)）人: 維西埃-硅化物公司
• 主分類號: H01L29/40
• 分類號: H01L29/40;H01L29/66;H01L29/78
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 劉文潔

1.一種CMP兼容的分柵式場效應(yīng)晶體管裝置，包括：

分柵式結(jié)構(gòu)，具有溝槽、柵電極和源電極；

源極接觸點(diǎn)，其連接所述源電極；

第一多晶硅層，被設(shè)置在所述溝槽之內(nèi)，并且連接到所述源電極；

第二多晶硅層，被設(shè)置在所述溝槽之內(nèi)，連接到所述柵電極；

柵極接觸點(diǎn)，其連接所述第二多晶硅層，其中，所述第一多晶硅層和所述第二多晶硅層是獨(dú)立的，并且其中，所述溝槽里面的氧化物的頂部、有源區(qū)體的表面、所述源極接觸點(diǎn)和所述柵極接觸點(diǎn)是共面的；以及

設(shè)置在所述分柵式結(jié)構(gòu)上的金屬層。

2.一種CMP兼容的分柵式場效應(yīng)晶體管裝置，包括：

分柵式結(jié)構(gòu)，具有溝槽、柵電極和源電極；

第一多晶硅層，被設(shè)置在所述溝槽之內(nèi)，并且連接到所述源電極；

源極接觸點(diǎn)，其將所述第一多晶硅層連接到所述源電極；

第二多晶硅層，被設(shè)置在所述溝槽之內(nèi)，連接到所述柵電極；

柵極接觸點(diǎn)，其將所述第二多晶硅層連接到所述柵電極，其中，所述溝槽里面的氧化物的頂部、有源區(qū)體的表面、所述源極接觸點(diǎn)和所述柵極接觸點(diǎn)是共面的；以及

設(shè)置在所述分柵式結(jié)構(gòu)上的金屬層。

3.如權(quán)利要求1或2所述的裝置，其中：

所述柵極接觸點(diǎn)將所述第二多晶硅層連接到所述柵電極；并且

所述源極接觸點(diǎn)將所述第一多晶硅層連接到所述源電極。

4.如權(quán)利要求1或2所述的裝置，其中，所述有源區(qū)體和所述源極接觸點(diǎn)布置在同一表面平面上。

5.如權(quán)利要求1或2所述的裝置，其中，所述共面的平面是經(jīng)由CMP兼容處理建立的。

6.如權(quán)利要求5所述的裝置，其中，使用布局方法，以使得CMP兼容處理能夠在所述溝槽內(nèi)將所述第一多晶硅層連接到所述源電極，并將所述第二多晶硅層連接到所述柵電極。

7.如權(quán)利要求1或2所述的裝置，其中，所述有源區(qū)體和所述源極接觸點(diǎn)布置在所述溝槽外面。

8.如權(quán)利要求1或2所述的裝置，其中，所述第一多晶硅層和所述第二多晶硅層是物理分離的，并且是電力分離的。

9.如權(quán)利要求8所述的裝置，其中，所述第二多晶硅層形成于所述溝槽內(nèi)的所述第一多晶硅層的一部分上方。

10.如權(quán)利要求9所述的裝置，其中，所述第二多晶硅層被形成為與所述溝槽內(nèi)的沿著豎直方向的所述第一多晶硅層的其它部分平行。