[發明專利]一種驅動薄膜晶體管及其制備方法

有效

• 申請號: 201610044184.0
• 申請日: 2016-01-22
• 公開（公告）號: CN105470311B
• 公開（公告）日: 2018-09-28
• 發明（設計）人: 韓媛媛;朱修劍
• 申請（專利權）人: 昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 彭秀麗

本發明提供的一種驅動薄膜晶體管，包括：緩沖層，半導體層，柵極絕緣層，柵極，層間絕緣層和源漏極；所述半導體層上包括載流子傳輸通道，所述的載流子傳輸通道中設有載流子傳輸阻礙結構，所述的載流子傳輸阻礙結構為設置在所述載流子傳輸通道中的微孔，或者是將載流子傳輸通道的側壁設置為不規則形狀。所述載流子傳輸阻礙結構能夠起到阻礙載流子運輸的作用，可以有效降低驅動TFT開啟電流Ion，從而減小像素電路的工作電流。

技術領域

本發明涉及驅動薄膜晶體管技術領域，具體涉及一種新型驅動薄膜晶體管及其制備方法。

背景技術

在AMOLED中，隨著像素PPI的增加，像素所需的工作電流減小，故需要的驅動薄膜晶體管DTFT的開啟電流Ion減小，同時驅動薄膜晶體管STFT的特性仍需要保持快速的充電速率，因此難以通過一次光刻同時達到上述要求。此外，像素的版圖設計上，因像素PPI的增大，像素周期pitch減小，載流子傳輸通道的長度L相對寬度W增大，反而使得W/L增大，難以從版圖設計的角度使驅動薄膜晶體管DTFT Ion減小。從工藝條件上，若減小載流子傳輸通道的寬度W，那么驅動薄膜晶體管DTFT載流子傳輸通道寬度W方向多晶硅晶粒個數減少，造成載流子遷移率的不均勻，故也難以通過減小W達到降低Ion的目的。

發明內容

為此，本發明所要解決的是驅動薄膜晶體管TFT的開啟電流Ion較大的問題，提供一種驅動薄膜晶體管，所述驅動TFT中的載流子傳輸通道中設有載流子傳輸阻礙結構，可以有效降低開啟電流Ion。

為解決上述技術問題，本發明采用的技術方案如下：

一種驅動薄膜晶體管，包括：

緩沖層，設置在基板上；

半導體層，設置在所述驅動薄膜晶體管區域中的緩沖層上；

柵極絕緣層，設置在所述緩沖層上，覆蓋所述半導體層；

柵極，設置在所述柵極絕緣層上；所述半導體層上包括載流子傳輸通道，所述的載流子傳輸通道中設有載流子傳輸阻礙結構。

所述載流子傳輸通道中設置有若干微孔，所述微孔能夠阻礙載流子的傳輸，所述微孔的中心線垂直于所述半導體層。

所述微孔的高度小于等于所述半導體層的厚度。

所述載流子傳輸通道具有不規則側壁結構，所述的不規則側壁結構能夠阻礙載流子的傳輸。

所述載流子傳輸通道不規則側壁結構的橫截面為鋸齒狀。

所述載流子傳輸通道不規則側壁結構的橫截面為若干弧狀結構順次連接而成。

一種驅動薄膜晶體管的制備方法，包括如下步驟：

S1、在所述基板上依次形成緩沖層，非晶硅層，再進行結晶處理，形成半導體層；在圖案化半導體層上形成具有載流子傳輸阻礙結構的載流子傳輸通道；

S2、在所述緩沖層上形成覆蓋所述半導體層的柵極絕緣層在所述柵極絕緣層上依次形成柵極，層間絕緣層和源漏極。

本發明的上述技術方案相比現有技術具有以下優點：

本發明的驅動薄膜晶體管的半導體層上包括載流子傳輸通道，所述的載流子傳輸通道中設有載流子傳輸阻礙結構，所述的阻礙結構可以是在載流子傳輸通道設置的微孔，或者將載流子傳輸通道的側壁設置為不規則形狀，從而能夠起到阻礙載流子運輸的作用，可以有效降低驅動TFT開啟電流Ion，從而減小像素電路的工作電流。由于開關TFT的結構沒有變化，因此仍可以保持STFT的快速充電率。

本發明的驅動薄膜晶體管是通過在驅動TFT的載流子傳輸通道上設置微孔或者將其側壁圖形設為不規則形狀，因此不需占用額外空間，可滿足高PPI像素驅動要求，且適用于任何像素電路。