[發明專利]一種驅動薄膜晶體管及其制備方法

有效

• 申請號: 201610044184.0
• 申請日: 2016-01-22
• 公開（公告）號: CN105470311B
• 公開（公告）日: 2018-09-28
• 發明（設計）人: 韓媛媛;朱修劍
• 申請（專利權）人: 昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 彭秀麗

1.一種驅動薄膜晶體管，包括：

緩沖層(2)，設置在基板(1)上；

半導體層(3)，設置在所述驅動薄膜晶體管區域中的緩沖層(2)上；

柵極絕緣層(4)，設置在所述緩沖層(2)上，覆蓋所述半導體層(3)；

柵極(5)，設置在所述柵極絕緣層(4)上；其特征在于，

所述半導體層(3)上包括載流子傳輸通道(7)，所述的載流子傳輸通道(7)中設有載流子傳輸阻礙結構；

所述載流子傳輸通道(7)中設置有若干微孔(6)，所述微孔(6)能夠阻礙載流子的傳輸；

所述微孔(6)的中心線垂直于所述半導體層(3)；

所述微孔(6)的高度小于等于所述半導體層(3)的厚度。

2.根據權利要求1所述的驅動薄膜晶體管，其特征在于，所述載流子傳輸通道(7)具有不規則側壁結構，所述的不規則側壁結構能夠阻礙載流子的傳輸。

3.根據權利要求2所述的驅動薄膜晶體管，其特征在于，所述載流子傳輸通道不規則側壁結構的橫截面為鋸齒狀。

4.根據權利要求2所述的驅動薄膜晶體管，其特征在于，所述載流子傳輸通道不規則側壁結構的橫截面為若干弧狀結構順次連接而成。

5.一種驅動薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1、在所述基板(1)上依次形成緩沖層(2)，非晶硅層，再進行結晶處理，形成半導體層(3)；在圖案化半導體層(3)上形成具有載流子傳輸阻礙結構的載流子傳輸通道(7)；其中，所述載流子傳輸通道(7)中設置有若干微孔(6)，所述微孔(6)能夠阻礙載流子的傳輸；所述微孔(6)的中心線垂直于所述半導體層(3)；所述微孔(6)的高度小于等于所述半導體層(3)的厚度；

S2、在所述緩沖層(2)上形成覆蓋所述半導體層(3)的柵極絕緣層(4)在所述柵極絕緣層(4)上依次形成柵極(5)，層間絕緣層和源漏極。