[發明專利]低溫多晶硅TFT基板的制作方法及低溫多晶硅TFT基板

有效

• 申請號: 201610040572.1
• 申請日: 2016-01-21
• 公開（公告）號: CN105514035B
• 公開（公告）日: 2018-11-20
• 發明（設計）人: 張占東;湯富雄
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

本發明提供一種低溫多晶硅TFT基板的制作方法及低溫多晶硅TFT基板，通過在非晶硅層的下方預先設置一層散熱層，從而在對非晶硅層進行準分子激光退過處理后可使得驅動區域和顯示區域的多晶硅的結晶存在差異，在驅動區域形成晶格尺寸較大的多晶硅，提高了電子遷移率；在顯示區域的晶化過程中實現碎晶，形成晶格尺寸較小的多晶硅，保證了晶界均一性，提高了電流的均一性，從而滿足了不同TFT的電性要求，提高了OLED發光的均一性。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種低溫多晶硅TFT基板的制作方法及低溫多晶硅TFT基板。

背景技術

低溫多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)技術是新一代TFT基板的制造技術，低溫多晶硅顯示器反應速度較快，且有高亮度、高解析度與低耗電量等優點。多晶硅(Poly-Si)具有優異的電學性能，對于有源矩陣有機發光二極體(Active-matrixOrganic Light Emitting Diode，AMOLED)具有較好的驅動能力。因此，基于低溫多晶硅技術的AMOLED顯示背板目前被廣泛使用。

準分子激光退火處理(Excimer Laser Annealing，ELA)技術是LTPS制程中的關鍵技術，該技術利用激光的瞬間脈沖照射到非晶硅表面，使其溶化并重新結晶形成低溫多晶硅。

因為AMOLED驅動需要驅動TFT和顯示TFT，驅動TFT需要較高的電子遷移率，所以需要比較大的晶格，顯示TFT需要有足夠的電子遷移率和電流均一性，從而可以使OLED器件均勻發光。

請參閱圖1至圖4，為一種現有的低溫多晶硅TFT基板的制作方法的示意圖，該方法包括：

步驟1、提供基板100，所述基板100包括驅動區域與顯示區域；在所述基板100上沉積緩沖層200，在所述緩沖層200上沉積非晶硅層300；

步驟2、對所述非晶硅層300進行準分子激光退火處理，使所述非晶硅層300結晶轉變為多晶硅層400；

步驟3、對所述多晶硅層400進行圖案化處理，形成位于所述驅動區域的第一多晶硅段410、及位于所述顯示區域的第二多晶硅段420；

步驟4、在所述緩沖層200、第一多晶硅段410、及第二多晶硅段420上依次形成柵極絕緣層500、分別位于所述驅動區域與顯示區域的第一柵極510與第二柵極520、位于所述柵極絕緣層500及第一柵極510與第二柵極520上的層間絕緣層600、及分別位于所述驅動區域與顯示區域的第一源/漏極710與第二源/漏極720；

所述柵極絕緣層400與層間絕緣層600上對應所述第一多晶硅段410、第二多晶硅段420的上方分別形成有第一過孔610、第二過孔620；所述第一源/漏極710、第二源/漏極720分別經由所述第一過孔610、第二過孔620與所述第一多晶硅段410、第二多晶硅段420相接觸。

然而目前的ELA結晶技術對于晶格的均一性和晶格結晶方向不能做到有效控制，所以結晶狀況在整個基板的分布上很不均勻，造成顯示效果的不均一。

因此，有必要提供一種低溫多晶硅TFT基板的制作方法及低溫多晶硅TFT基板，以解決上述問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種低溫多晶硅TFT基板的制作方法，使得驅動區域和顯示區域的多晶硅的結晶存在差異，在驅動區域形成晶格尺寸較大的多晶硅，提高電子遷移率；在顯示區域的晶化過程中實現碎晶，形成晶格尺寸較小的多晶硅，保證晶界均一性，提高電流的均一性，從而滿足不同TFT的電性要求，提高OLED發光的均一性。

本發明的目的還在于提供一種低溫多晶硅TFT基板，驅動區域和顯示區域的多晶硅的結晶存在差異，驅動區域的多晶硅晶格尺寸較大，電子遷移率較高；顯示區域實現碎晶，多晶硅晶格尺寸較小，電流的均一性較好，可滿足不同TFT的電性要求，提高OLED發光的均一性。