[發(fā)明專利]低溫多晶硅TFT基板的制作方法及低溫多晶硅TFT基板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610040572.1
• 申請日: 2016-01-21
• 公開（公告）號: CN105514035B
• 公開（公告）日: 2018-11-20
• 發(fā)明（設計）人: 張占東;湯富雄
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種低溫多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1、提供基板(1)，所述基板(1)包括驅動區(qū)域與顯示區(qū)域；在所述基板(1)上沉積緩沖層(2)，在所述緩沖層(2)上沉積散熱層(10)；

步驟2、對所述散熱層(10)進行圖案化處理，除去位于所述驅動區(qū)域的散熱層(10)，形成位于所述顯示區(qū)域的散熱段(11)；

步驟3、在所述緩沖層(2)、及散熱段(11)上沉積非晶硅層(3)；所述散熱段(11)與非晶硅層(3)直接接觸；

步驟4、對所述非晶硅層(3)進行準分子激光退火處理，使所述非晶硅層(3)結晶轉變?yōu)槎嗑Ч鑼?30)；

步驟5、對所述多晶硅層(30)進行圖案化處理，形成位于所述驅動區(qū)域的第一多晶硅段(31)、及位于所述顯示區(qū)域的第二多晶硅段(32)；

步驟6、在所述緩沖層(2)、第一多晶硅段(31)、第二多晶硅段(32)、及散熱段(11)上形成柵極絕緣層(4)；

步驟7、在所述柵極絕緣層(4)上沉積第一金屬層，并對所述第一金屬層進行圖案化處理，分別形成位于所述第一多晶硅段(31)、第二多晶硅段(32)上的第一柵極(51)、第二柵極(52)；

步驟8、在所述柵極絕緣層(4)、第一柵極(51)、第二柵極(52)上沉積層間絕緣層(6)；在所述柵極絕緣層(4)、及層間絕緣層(6)上分別對應所述第一多晶硅段(31)、第二多晶硅段(32)上方形成第一過孔(61)、第二過孔(62)；

步驟9、在所述層間絕緣層(6)上沉積第二金屬層，并對所述第二金屬層進行圖案化處理，分別形成位于所述驅動區(qū)域的第一源/漏極(71)、及位于所述顯示區(qū)域的第二源/漏極(72)；

所述第一源/漏極(71)、第二源/漏極(72)分別經由所述第一過孔(61)、第二過孔(62)與所述第一多晶硅段(31)、第二多晶硅段(32)相接觸；

所述散熱段(11)的材料為不導電的金屬氧化物。

2.如權利要求1所述的低溫多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟5中，所述第一多晶硅段(31)中的晶格尺寸大于第二多晶硅段(32)中的晶格尺寸。

3.如權利要求1所述的低溫多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述基板(1)為玻璃基板；所述緩沖層(2)、柵極絕緣層(4)、及層間絕緣層(6)的材料為氮化硅、氧化硅、或二者的組合；所述第一柵極(51)、第二柵極(52)、第一源/漏極(71)、第二源/漏極(72)的材料為鉬、鈦、鋁、銅中的一種或多種的堆棧組合。

4.一種低溫多晶硅TFT基板，其特征在于，包括驅動區(qū)域與顯示區(qū)域，所述驅動區(qū)域包括基板(1)、設于所述基板(1)上的緩沖層(2)、設于所述緩沖層(2)上的第一多晶硅段(31)、設于所述緩沖層(2)及第一多晶硅段(31)上的柵極絕緣層(4)、對應所述第一多晶硅段(31)上方設于所述柵極絕緣層(4)上的第一柵極(51)、設于所述柵極絕緣層(4)及第一柵極(51)上的層間絕緣層(6)、及設于所述層間絕緣層(6)上的第一源/漏極(71)；

所述顯示區(qū)域包括基板(1)、設于所述基板(1)上的緩沖層(2)、設于所述緩沖層(2)上的第二多晶硅段(32)、設于所述緩沖層(2)及第二多晶硅段(32)上的柵極絕緣層(4)、對應所述第二多晶硅段(32)上方設于所述柵極絕緣層(4)上的第二柵極(52)、設于所述柵極絕緣層(4)及第二柵極(52)上的層間絕緣層(6)、及設于所述層間絕緣層(6)上的第二源/漏極(72)；

所述驅動區(qū)域的層間絕緣層(6)及柵極絕緣層(4)上對應所述第一多晶硅段(31)上方形成有第一過孔(61)，所述第一源/漏極(71)經由所述第一過孔(61)與所述第一多晶硅段(31)相接觸；

所述顯示區(qū)域的層間絕緣層(6)及柵極絕緣層(4)上對應所述第二多晶硅段(32)上方形成有第二過孔(62)，所述第二源/漏極(72)經由所述第二過孔(62)與所述第二多晶硅段(32)相接觸；

所述顯示區(qū)域中，所述第二多晶硅段(32)的下方于所述緩沖層(2)與第二多晶硅段(32)之間設有散熱段(11)；

所述散熱段(11)與非晶硅層(3)直接接觸；

所述散熱段(11)的材料為不導電的金屬氧化物。

5.如權利要求4所述的低溫多晶硅TFT基板，其特征在于，所述第一多晶硅段(31)中的晶格尺寸大于第二多晶硅段(32)中的晶格尺寸；所述基板(1)為玻璃基板；所述緩沖層(2)、柵極絕緣層(4)、及層間絕緣層(6)的材料為氮化硅、氧化硅、或二者的組合；所述第一柵極(51)、第二柵極(52)、第一源/漏極(71)、第二源/漏極(72)的材料為鉬、鈦、鋁、銅中的一種或多種的堆棧組合。