[發(fā)明專利]一種雙柵TFT陣列基板及其制造方法和顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610040520.4
• 申請(qǐng)日: 2016-01-21
• 公開（公告）號(hào): CN105514120B
• 公開（公告）日: 2018-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 牛菁;春曉改
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1333
• 代理公司: 北京志霖恒遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11435
• 代理人: 郭棟梁

本發(fā)明公開了一種雙柵TFT陣列基板及其制造方法和顯示裝置，其中，制造方法包括：通過一次構(gòu)圖工藝形成公共電極和頂柵。本發(fā)明提供的雙柵TFT陣列基板及其制造方法，通過一次構(gòu)圖工藝形成公共電極和頂柵，與傳統(tǒng)的先制作公共電極，再制作頂柵的工藝過程相比，減少了構(gòu)圖工藝的次數(shù)，簡化了工藝流程。同時(shí)，本發(fā)明中通過還原方法得到的雙柵TFT陣列基板中的頂柵與底柵具有相近的電阻，保證了整個(gè)陣列基板的穩(wěn)定性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種雙柵TFT陣列基板的制造方法、一種雙柵TFT陣列基板和一種顯示裝置。

背景技術(shù)

在液晶顯示領(lǐng)域中，薄膜晶體管的有源層一直使用穩(wěn)定性能、加工性能等優(yōu)異的硅系材料，硅系材料主要分為非晶硅和多晶硅，其中非晶硅材料遷移率很低，而多晶硅材料雖然有較高的遷移率，但用其制造的器件均勻性較差，良率低，單價(jià)高。所以近年來，將透明氧化物半導(dǎo)體膜用于溝道形成區(qū)來制造薄膜晶體管(TFT)等，并應(yīng)用于電子器件及光器件的技術(shù)受到廣泛關(guān)注。其中，利用以銦、鎵、鋅、氧為構(gòu)成元素的非晶質(zhì)In-Ga-Zn-O系材料(a-IGZO)的場效應(yīng)型晶體管因其具有較高遷移率，較大開關(guān)比，而得到了最多的矚目。但是IGZO是非晶結(jié)構(gòu)，特性很不穩(wěn)定，所以提高氧化物器件的穩(wěn)定性非常重要。改善氧化物穩(wěn)定性有很多方向，其中使用上下雙柵極結(jié)構(gòu)是一種非常有效的方法。

現(xiàn)有制備雙柵結(jié)構(gòu)的氧化物器件需要在傳統(tǒng)的BCE(背溝道刻蝕)或者ESL(刻蝕阻擋層)結(jié)構(gòu)TFT區(qū)域上方增加一層金屬作為頂柵(Top-Gate)，該結(jié)構(gòu)需要增加一次金屬的圖案化工藝和保護(hù)該層金屬的絕緣層的沉積工藝。步驟繁多，工藝復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是如何簡化雙柵極薄膜晶體管陣列基板的工藝流程。

針對(duì)該技術(shù)問題，第一方面，本發(fā)明提供一種雙柵TFT陣列基板的制造方法，包括：

通過一次構(gòu)圖工藝形成公共電極和頂柵。

優(yōu)選地，在形成所述公共電極和頂柵前，還包括：

在基底上形成底柵和柵線；

在所述底柵和柵線上形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成有源層；

在所述有源層上形成源極和漏極；

在所述源極和漏極上形成第一鈍化層；

其中，所述公共電極和頂柵形成在所述第一鈍化層上_。

優(yōu)選地，還包括：

在所述第一鈍化層和所述柵絕緣層中與所述柵線對(duì)應(yīng)的位置形成過孔，所述頂柵與所述柵線通過過孔連接。

優(yōu)選地，還包括：

在所述公共電極和頂柵上形成第二鈍化層，在所述第二鈍化層上形成像素電極。

優(yōu)選地，所述雙柵TFT陣列基板的有源層為IGZO。

優(yōu)選地，所述公共電極為透明金屬氧化物，形成所述公共電極和頂柵的步驟包括：

對(duì)所述頂柵進(jìn)行還原處理。

優(yōu)選地，形成所述公共電極和頂柵的步驟包括：

形成透明金屬氧化物層；

在所述透明金屬氧化物層上形成光刻膠；

對(duì)所述光刻膠進(jìn)行半灰階掩膜曝光處理，通過顯影，保留第一區(qū)域的光刻膠，部分保留第二區(qū)域的光刻膠，去除其他區(qū)域光刻膠；

蝕刻掉所述其他區(qū)域的透明金屬氧化物層；

通過一次灰化工藝去除所述第二區(qū)域的光刻膠，減薄第一區(qū)域的光刻膠厚度；