[發明專利]一種雙柵TFT陣列基板及其制造方法和顯示裝置

有效

• 申請號: 201610040520.4
• 申請日: 2016-01-21
• 公開（公告）號: CN105514120B
• 公開（公告）日: 2018-07-20
• 發明（設計）人: 牛菁;春曉改
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1333
• 代理公司: 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435
• 代理人: 郭棟梁

1.一種雙柵TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

形成透明金屬氧化物層；

在所述透明金屬氧化物層上形成光刻膠；

對所述光刻膠進行半灰階掩膜曝光處理，通過顯影，保留第一區域的光刻膠，部分保留第二區域的光刻膠，去除其他區域光刻膠；

蝕刻掉所述其他區域的透明金屬氧化物層；

通過一次灰化工藝去除所述第二區域的光刻膠，減薄所述第一區域的光刻膠厚度；

對第二區域的透明金屬氧化物層進行等離子還原氣體表面處理，以析出所述第二區域的透明金屬氧化物層中的金屬，將所述第一區域的透明金屬氧化物層作為公共電極，將所述第二區域的金屬層作為頂柵。

2.根據權利要求1所述的雙柵TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，在形成所述公共電極和頂柵前，還包括：

在基底上形成底柵和柵線；

在所述底柵和柵線上形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成有源層；

在所述有源層上形成源極和漏極；

在所述源極和漏極上形成第一鈍化層；

其中，所述公共電極和頂柵形成在所述第一鈍化層上。

3.根據權利要求2所述的雙柵TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，還包括：

在所述第一鈍化層和所述柵絕緣層中與所述柵線對應的位置形成過孔，所述頂柵與所述柵線通過過孔連接。

4.根據權利要求1所述的雙柵TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，還包括：

在所述公共電極和頂柵上形成第二鈍化層，在所述第二鈍化層上形成像素電極。

5.根據權利要求1所述的雙柵TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，所述雙柵TFT陣列基板的有源層為IGZO。

6.一種雙柵TFT陣列基板，其特征在于，包括：

基底；

依次設置在所述基底上的底柵、IGZO形成的有源層、同層且同材料形成的公共電極和頂柵；

其中，所述公共電極為透明氧化銦錫，所述頂柵為透明氧化銦錫經還原處理得到的金屬銦。

7.根據權利要求6所述的雙柵TFT陣列基板，其特征在于，還包括：

柵線；

設置在所述底柵和柵線上的柵絕緣層；

設置在所述有源層上的源極和漏極；

設置在所述源極和漏極上的第一鈍化層；

其中，所述公共電極和頂柵形成在所述第一鈍化層上。

8.根據權利要求7所述的雙柵TFT陣列基板，其特征在于，還包括：

設置在所述第一鈍化層和所述柵絕緣層中與所述柵線對應位置的過孔，用于將所述頂柵與所述柵線連通。

9.根據權利要求6所述的雙柵TFT陣列基板，其特征在于，還包括：

設置在所述公共電極和頂柵上的第二鈍化層；

設置在所述第二鈍化層上的像素電極。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求6至9中任一項所述的雙柵TFT陣列基板。