[發明專利]以TiO2為基體SnO2為種子層的CrO2材料及其制備方法有效
| 申請號： | 201610040224.4 | 申請日： | 2016-01-21 |
| 公開（公告）號： | CN105540668B | 公開（公告）日： | 2017-06-16 |
| 發明（設計）人： | 盧志紅;郭芳;劉碩;袁成 | 申請（專利權）人： | 武漢科技大學 |
| 主分類號： | H01F41/22 | 分類號： | H01F41/22;C01G37/027 |
| 代理公司： | 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙)42222 | 代理人： | 張火春 |
| 地址： | 430081 *** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | tio sub 基體 sno 種子 cro 材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種以TiO2為基體SnO2為種子層的CrO2材料的制備方法，其特征在于所述制備方法的步驟是：
步驟一、將SnI4裝入石英舟內，放入雙溫區管式爐的低溫區，將TiO2單晶基片放入雙溫區管式爐的高溫區；然后在以100～300mL/min的流速向管式爐內通入氧氣的條件下，將高溫區加熱至350～450℃，開始保溫，同時對低溫區加熱，在100～200℃條件下保溫0.15～2h；自然冷卻，制得以TiO2為基體的SnO2種子層材料；
步驟一中的高溫區保溫截止時間與低溫區保溫截止時間相同；
步驟二、將CrO3裝入石英舟內，放入雙溫區管式爐的低溫區，再將第一步制得的以TiO2為基體的SnO2種子層材料放入雙溫區管式爐的高溫區，然后在以100～300mL/min的流速向管式爐內通入氧氣的條件下，將高溫區加熱至350～450℃，開始保溫，同時對低溫區加熱，在200～300℃條件下保溫0.2～5h，自然冷卻，即得以TiO2為基體SnO2為種子層的CrO2材料；
步驟二中的高溫區保溫截止時間與低溫區保溫截止時間相同。
2.根據權利要求1所述的以TiO2為基體SnO2為種子層的CrO2材料的制備方法，其特征在于所述的SnI4為分析純。
3.根據權利要求1所述的以TiO2為基體SnO2為種子層的CrO2材料的制備方法，其特征在于所述的CrO3為分析純。
4.根據權利要求1所述的以TiO2為基體SnO2為種子層的CrO2材料的制備方法，其特征在于所述的氧氣的純度為99.99％。
5.一種以TiO2為基體SnO2為種子層的CrO2材料，其特征在于所述的以TiO2為基體SnO2為種子層的CrO2材料是根據權利要求1～4項中任一項所述以TiO2為基體SnO2為種子層的CrO2材料的制備方法所制備的以TiO2為基體SnO2為種子層的CrO2材料。
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