[發(fā)明專利]曝光裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610038639.8 | 申請(qǐng)日: | 2016-01-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105549333B | 公開(公告)日: | 2018-07-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 宋燁 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G03F7/20 | 分類號(hào): | G03F7/20 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強(qiáng) |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市武*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 曝光 裝置 | ||
本發(fā)明提供一種曝光裝置,包括顯示器和位于所述顯示器下方的凸透鏡組件,所述顯示器出射的光源經(jīng)所述凸透鏡組件射出,照射到待曝光膜上,以使所述待曝光膜經(jīng)曝光后形成有所述顯示器顯示的圖案。本發(fā)明中,以顯示器作為曝光裝置的光源,曝光時(shí),將所需圖案顯示在顯示器上,經(jīng)過凸透鏡組件的轉(zhuǎn)化,在待曝光膜上即可形成所需圖案。經(jīng)過凸透鏡組件轉(zhuǎn)化投影到待曝光膜上的圖案具有高像素密度,可滿足待曝光膜上的圖案的要求。如此,無需掩膜版即可在待曝光膜上形成所需圖案,節(jié)省了生產(chǎn)成本,同時(shí)無需更換掩膜版,相應(yīng)地也提高了曝光效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種曝光裝置。
背景技術(shù)
曝光是微加工過程中一個(gè)必不可少的工藝,特別是在顯示行業(yè),無論是電路的刻蝕,還是彩色濾光片的制作,都與曝光密切相關(guān)。
目前的曝光技術(shù),通常是在待曝光膜(例如光刻膠)上方設(shè)置掩膜版,使曝光光線通過掩膜版后照射到待曝光膜上,從而在待曝光膜上形成所需要的目標(biāo)圖案。此種曝光工藝的缺陷是:一種掩膜版對(duì)應(yīng)一種圖案,更換圖案需要更換掩膜版。制作掩膜版的成本非常高,并且更換掩膜版會(huì)占用大量的時(shí)間,從而影響曝光效率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種曝光裝置,不需要掩膜版即可在待曝光膜上形成所需圖案,可節(jié)省生產(chǎn)成本,以及提高曝光效率。
本發(fā)明提供一種曝光裝置,包括顯示器和位于所述顯示器下方的凸透鏡組件,所述顯示器出射的光源經(jīng)所述凸透鏡組件射出,照射到待曝光膜上,以使所述待曝光膜經(jīng)曝光后形成有所述顯示器顯示的圖案。
其中,所述顯示器為高像素密度的顯示器。
其中,所述凸透鏡組件包括至少一個(gè)凸透鏡。
其中,所述凸透鏡組件包括至少兩個(gè)沿縱向方向間隔設(shè)置的凸透鏡。
其中,所述凸透鏡組件包括至少一個(gè)凸透鏡,所述曝光裝置還包括至少一個(gè)光柵結(jié)構(gòu),每一所述光柵結(jié)構(gòu)位于一個(gè)凸透鏡的下方。
其中,所述曝光裝置還包括殼體,所述凸透鏡組件設(shè)置于所述殼體內(nèi)。
其中,所述凸透鏡組件及所述至少一個(gè)光柵結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述殼體內(nèi)。
其中,所述殼體的內(nèi)側(cè)壁為黑色。
本發(fā)明中,以顯示器作為曝光裝置的光源,曝光時(shí),將所需圖案顯示在顯示器上,經(jīng)過凸透鏡組件的轉(zhuǎn)化,在待曝光膜上即可形成所需圖案。經(jīng)過凸透鏡組件轉(zhuǎn)化投影到待曝光膜上的圖案具有高像素密度,可滿足待曝光膜上的圖案的要求。如此,無需掩膜版即可在待曝光膜上形成所需圖案,節(jié)省了生產(chǎn)成本,同時(shí)無需更換掩膜版,相應(yīng)地也提高了曝光效率。
附圖說明
為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本發(fā)明第一實(shí)施方式中曝光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本發(fā)明實(shí)施方式中在待曝光膜上形成所需圖案的示意圖;以及
圖3為本發(fā)明第二實(shí)施方式中曝光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于武漢華星光電技術(shù)有限公司,未經(jīng)武漢華星光電技術(shù)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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