[發明專利]PERC太陽能電池及其制備方法有效
| 申請號: | 201610038035.3 | 申請日: | 2016-01-20 |
| 公開(公告)號: | CN105489709B | 公開(公告)日: | 2018-04-13 |
| 發明(設計)人: | 張為國;劉超;劉成法;張松;陳寒;夏世偉;季海晨 | 申請(專利權)人: | 上海大族新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224 | 代理人: | 何沖 |
| 地址: | 201615 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | perc 太陽能電池 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及太陽能電池領域,特別是涉及一種PERC太陽能電池及其制備方法。
背景技術
太陽能電池,又稱光伏電池,是一種將太陽的光能直接轉化為電能的半導體器件,其發電原理是基于半導體PN結的光生伏特效應。由于它是綠色環保產品,不會引起環境污染,而且是可再生資源,所以在當今能源短缺的情形下,太陽能電池是一種有廣闊發展前途的新型能源。
局部接觸背鈍化(PERC)太陽能電池是新開發的一種高效太陽能電池,其轉化效率伴隨著技術的不斷進步已經超過目前19%的穩定效率,得到了業界的廣泛關注。其核心是在硅片的背光面用氧化鋁或者氧化硅薄膜(5nm~100nm)覆蓋,以起到鈍化表面、提高長波響應的作用,從而提升電池的轉換效率。
傳統的PERC太陽能電池的制備方法主要包括如下步驟:制絨、擴散、背面拋光、刻蝕和去雜質玻璃、背面沉積氧化鋁或氧化硅薄膜、背面沉積氮化硅薄膜、正面沉積氮化硅減反射層、背面開口、絲網印刷正背面金屬漿料、燒結。然而,采用上述制備方法制備得到的PERC太陽能電池的產品良率較低,導致原料浪費,不利于應用。
發明內容
基于此,有必要針對傳統的PERC太陽能電池的制備方法制備得到的PERC太陽能電池的產品良率較低問題,提供一種能夠提高產品良率的PERC太陽能電池的制備方法。
一種PERC太陽能電池的制備方法,包括如下步驟:
對硅片依次進行雙面拋光、制絨、擴散、刻蝕和去雜質玻璃、高錳酸氧化;
背面沉積鈍化層以及保護層;
正面沉積減反射層;
背面局部開口、印刷正背面金屬漿料以及燒結,得到PERC太陽能電池。
與傳統的PERC太陽能電池的制備方法相比,本發明的PERC太陽能電池的制備方法中,在硅片制絨之前先進行雙面拋光,便于后續制絨;同時,在背面沉積鈍化層以及保護層之前對去雜質玻璃之后的硅片進行氧化,起到鈍化作用。均能降低結區復合,提高開路電壓,能夠提高產品良率。
在其中一個實施例中,所述高錳酸氧化步驟中,氧化的時間為5min~30min,氧化的溫度為50℃~80℃。
在其中一個實施例中,所述高錳酸氧化步驟中,高錳酸的體積分數為50%~80%。
在其中一個實施例中,所述雙面拋光步驟中,采用無機堿溶液進行雙面拋光,單面拋光減薄量為5μm~15μm。
在其中一個實施例中,所述制絨步驟中,采用等離子刻蝕絨面。
在其中一個實施例中,所述擴散步驟中,采用旋涂法進行擴散,擴散方阻為70ohm/sq~100ohm/sq。
在其中一個實施例中,所述鈍化層為氧化鋁層或氧化硅層,所述保護層為氮化硅薄膜,所述減反射層為氮化硅減反射薄膜。
在其中一個實施例中,所述鈍化層的厚度為5nm~40nm。
在其中一個實施例中,所述硅片為P型多晶硅。
此外,還提供一種PERC太陽能電池,所述PERC太陽能電池根據上述的PERC太陽能電池的制備方法制備而成。
由于在上述制備方法中,在硅片制絨之前先進行雙面拋光,便于后續制絨;同時,在背面沉積鈍化層以及保護層之前對去雜質玻璃之后的硅片進行氧化,起到鈍化作用。均能降低結區復合,提高開路電壓。因此,通過上述PERC太陽能電池的制備方法制備得到的PERC太陽能電池的產品良率高。
附圖說明
圖1為實施例1與對比例1分別制備得到的PERC太陽能電池的電性能分布圖。
具體實施方式
為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂,下面結合附圖對本發明的具體實施方式做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節以便于充分理解本發明。但是本發明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施,本領域技術人員可以在不違背本發明內涵的情況下做類似改進,因此本發明不受下面公開的具體實施例的限制。
除非另有定義,本文所使用的所有的技術和科學術語與屬于本發明的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。本文中在本發明的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施例的目的,不是旨在于限制本發明。本文所使用的術語“及/或”包括一個或多個相關的所列項目的任意的和所有的組合。
一實施方式的PERC太陽能電池的制備方法,包括如下步驟:
對硅片依次進行雙面拋光、制絨、擴散、刻蝕和去雜質玻璃、高錳酸氧化;
背面沉積鈍化層以及保護層;
正面沉積減反射層;
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