[發明專利]TFT陣列基板

在審

• 申請號: 201610035497.X
• 申請日: 2016-01-19
• 公開（公告）號: CN105487315A
• 公開（公告）日: 2016-04-13
• 發明（設計）人: 劉元甫
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種TFT陣列基板。

背景技術

液晶顯示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)具有機身薄、省電、無輻射 等眾多優點，得到了廣泛的應用，如：液晶電視、移動電話、個人數字助理 (PDA)、數字相機、計算機屏幕或筆記本電腦屏幕等，在平板顯示領域中占 主導地位。

現有市場上的液晶顯示器大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯示 面板及背光模組(backlightmodule)。液晶顯示面板的工作原理是在薄膜晶體 管陣列基板(ThinFilmTransistorArraySubstrate，TFTArraySubstrate)與彩 色濾光片基板(ColorFilter，CF)之間灌入液晶分子，并在兩片基板上施加 驅動電壓來控制液晶分子的旋轉方向，以將背光模組的光線折射出來產生畫 面。

TFT陣列基板包括多條柵極線和數據線，相互垂直的多條柵極線和多條 數據線形成了多個像素單元，且每個像素單元內均設置有TFT、像素電極及 存儲電容等。TFT包括一柵極連接至柵極線，源極連接至數據線，漏極連接 至像素電極。當柵極線被驅動時，TFT處于導通狀態，對應的數據線送入灰 階電壓信號并將其加載至像素電極，從而使得像素電極與公共電極之間產生 相應的電場，液晶層中的液晶分子則在電場的作用下發生取向變化，以實現 不同的圖像顯示。

存儲電容在TFT陣列基板中起到保持電位等重要作用，現有的TFT陣列基 板通常通過公共電極與像素電極的重疊部分來構成存儲電容。請參閱圖1至圖 3，現有的TFT陣列基板通常包括：襯底基板10、設于所述襯底基板10上的緩 沖層20、設于所述緩沖層20上的數個呈陣列式排布的TFT90、覆蓋所述TFT90 的平坦層50、設于所述平坦層50上的公共電極60、覆蓋所述公共電極60的保 護層70、及設于所述保護層70上的圖案化的像素電極80。所述像素電極80與 部分公共電極60重疊構成存儲電容Cst。所述像素電極80接觸TFT90的漏極 901，TFT90的漏極901又接觸TFT90的多晶硅半導體層902。針對該現有的TFT 陣列基板，TFT90的漏極901的面積很小，僅用于電性連接像素電極80、及多 晶硅半導體層902，所述漏極901與公共電極60無重疊。

隨著顯示技術的不斷發展，高品質顯示面板的解析度和分辨率越來越高， 顯示面板的開口率隨之變小，同時存儲電容也在逐漸變小，每個像素的充電 時間逐漸減少，存儲電容的電量將不能維持像素的正常工作電壓，引起諸如 交叉串擾(Crosstalk)，影像殘留(ImageSticking)等缺陷。因此，如何提升 高品質顯示面板的存儲電容的容量成為了亟待解決的問題。如圖1和圖2所示 的現有的TFT陣列基板受限于工藝能力、光學品味及穿透率的需求，圖案化 的像素電極80的面積很難做出改變，也就不能通過增大像素電極80的面積這 種方式來增大存儲電容的容量。

發明內容

本發明的目的在于提供一種TFT陣列基板，能夠在不降低開口率的前提 下，增加存儲電容的容量，改善交叉串擾、影像殘留等問題，提升產品的顯示 質量。

為實現上述目的，本發明提供了一種TFT陣列基板，包括：襯底基板、設 于所述襯底基板上的緩沖層、設于所述緩沖層上的數個呈陣列式排布的TFT、 設于所述TFT上的平坦層、設于所述平坦層上的公共電極、設于所述公共電極 上的保護層、及設于所述保護層上的圖案化的像素電極；

所述TFT包括：設于所述緩沖層上的多晶硅半導體層、覆蓋所述多晶硅半 導體層的柵極絕緣層、于所述多晶硅半導體層上方設于所述柵極絕緣層上的柵 極、覆蓋所述柵極與柵極絕緣層的層間絕緣層、及設于所述層間絕緣層上的源 極與漏極；

所述像素電極與所述漏極電性連接；

所述漏極與部分公共電極的水平投影重疊；

所述漏極與所述公共電極構成第一存儲電容，所述像素電極與公共電極構 成第二存儲電容，所述第一存儲電容與第二存儲電容并聯構成存儲電容。

位于所述漏極與部分公共電極的水平投影重疊的區域內的平坦層的厚度 小于位于所述漏極與部分公共電極的水平投影重疊的區域外的平坦層的厚度。