[發明專利]TFT陣列基板

在審

• 申請號: 201610035497.X
• 申請日: 2016-01-19
• 公開（公告）號: CN105487315A
• 公開（公告）日: 2016-04-13
• 發明（設計）人: 劉元甫
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種TFT陣列基板，其特征在于，包括：襯底基板(100)、設于所述 襯底基板(100)上的緩沖層(110)、設于所述緩沖層(110)上的數個呈陣列 式排布的TFT(900)、設于所述TFT(900)上的平坦層(500)、設于所述平坦 層(500)上的公共電極(600)、設于所述公共電極(600)上的保護層(700)、 及設于所述保護層(700)上的圖案化的像素電極(800)；

所述TFT(900)包括：設于所述緩沖層(110)上的多晶硅半導體層(200)、 覆蓋所述半多晶硅導體層(200)的柵極絕緣層(310)、于所述多晶硅半導體 層(200)上方設于所述柵極絕緣層(310)上的柵極(410)、覆蓋所述柵極(410) 與柵極絕緣層(310)的層間絕緣層(320)、及設于所述層間絕緣層(320)上 的源極與漏極(420)；

所述像素電極(800)與所述漏極(420)電性連接；

所述漏極(420)與部分公共電極(600)的水平投影重疊；

所述漏極(420)與所述公共電極(600)構成第一存儲電容(Cst1)，所 述像素電極(800)與公共電極(600)構成第二存儲電容(Cst2)，所述第一 存儲電容(Cst1)與第二存儲電容(Cst2)并聯構成存儲電容(Cst)。

2.如權利要求1所述的TTF陣列基板，其特征在于，位于所述漏極(420) 與部分公共電極(600)的水平投影重疊的區域內的平坦層(500)的厚度小于 位于所述漏極(420)與部分公共電極(600)的水平投影重疊的區域外的平坦 層(500)的厚度。

3.如權利要求2所述的TFT陣列基板，其特征在于，位于所述漏極(420) 與部分公共電極(600)的水平投影重疊的區域內的平坦層(500)的厚度為0.5 μm～1μm，位于所述漏極(420)與部分公共電極(600)的水平投影重疊的 區域外的平坦層(500)的厚度為1.5μm～3μm。

4.如權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述像素電極(800) 通過貫穿所述保護層(700)、公共電極(600)、及平坦層(500)的過孔(810) 與所述漏極(420)相接觸形成電性連接。

5.如權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，還包括：多條沿第一 方向平行間隔設置的柵極掃描線(450)、及多條沿與第一方向垂直的第二方向 平行間隔設置的數據線(440)；

所述數據線(440)、和源極、及所述漏極(420)位于同一層，且數據線 (440)與源極電性連接；所述柵極掃描線(450)與柵極(410)位于同一層 且電性連接。

6.如權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述源極和漏極(420) 分別通過貫穿層間絕緣層(320)和柵極絕緣層(310)的過孔與多晶硅半導體 層(200)的兩端相接觸形成電性連接。

7.如權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述像素電極(80) 與公共電極(60)的材料均為ITO。

8.如權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述緩沖層(110)、 柵極絕緣層(310)、層間絕緣層(320)、平坦層(500)、及保護層(700)的 材料均為氮化硅、氧化硅中的一種或兩種的復合。

9.如權利要求5所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述柵極掃描線(450)、 數據線(440)、柵極(410)、源極、及漏極(420)的材料均為鉬、鈦、銅、 鋁中的一種或多種的堆棧組合。