[發(fā)明專利]模擬譯碼電路設(shè)計方法及系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610035297.4
• 申請日: 2016-01-19
• 公開（公告）號: CN105512439B
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙哲;王帥;尹雪;鄭浩;丁旭輝;高原;卜祥元;安建平;曾博文
• 申請（專利權(quán)）人: 北京理工大學(xué)
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 李相雨

1.一種模擬譯碼電路設(shè)計方法，其特征在于，包括：

S1.根據(jù)預(yù)設(shè)校驗矩陣建立譯碼因子圖模型；將所述譯碼因子圖模型中的節(jié)點轉(zhuǎn)換為對應(yīng)和積模塊電路，將所述譯碼因子圖模型中的變量節(jié)點轉(zhuǎn)換為等式約束模塊，將所述譯碼因子圖模型中的校驗節(jié)點轉(zhuǎn)換為奇偶校驗?zāi)K；根據(jù)所述譯碼因子圖模型的拓?fù)渫瓿伤龊头e模塊電路之間的連線；

S2.根據(jù)預(yù)設(shè)電路設(shè)計要求以及下述公式設(shè)計所述和積模塊電路的輸入?yún)?shù)：

其中，W/L為吉爾伯特乘法電路晶體管柵極寬長比，I_U為單元電流，I_S為工藝相關(guān)電流；其中，所述和積模塊電路的輸入?yún)?shù)包括W/L和I_U；

S3.獲取所述和積模塊電路的相關(guān)失配參數(shù)和相關(guān)延遲參數(shù)；

S4.根據(jù)步驟S3得到的相關(guān)失配參數(shù)和相關(guān)延遲參數(shù)，進行考慮失配效應(yīng)和電路動態(tài)行為影響因素的模擬譯碼電路模型的計算過程，得到模擬譯碼電路BER性能仿真結(jié)果；

S5.判斷步驟S4得到的BER性能仿真結(jié)果是否滿足預(yù)設(shè)要求，若是，則結(jié)束流程；否則修改所述步驟S2中的輸入?yún)?shù)繼續(xù)進行仿真直至仿真結(jié)果滿足預(yù)設(shè)要求。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)電路設(shè)計要求包括：芯片面積受限情況或功耗受限情況；

相應(yīng)地，當(dāng)所述預(yù)設(shè)電路設(shè)計要求為芯片面積受限情況時，根據(jù)所述芯片面積受限情況確定符合要求的一種W/L，再根據(jù)下述公式設(shè)計所述單元電流I_U：

當(dāng)所述預(yù)設(shè)電路設(shè)計要求為功耗受限情況時，根據(jù)所述功耗受限情況確定符合要求的一種單元電流I_U，再根據(jù)下述公式設(shè)計所述W/L：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S3中獲取所述和積模塊電路的相關(guān)失配參數(shù)包括：

獲取吉爾伯特乘法電路輸出電流I′_i,j為：

其中I_x,i和I_y,j為電路輸入電流，ε_j和ε_i,j為吉爾伯特乘法電路失配參數(shù)；上式中電流誤差項ε_j和ε_i,j均為零均值正態(tài)分布的隨機變量；

獲取歸一化電路輸出電流I_z,k為：

其中I′_z,k為加法電路輸出電流，ε_U、ε_k和ε_1,k為歸一化電路失配參數(shù)；上式中電流誤差項ε_U、ε_k和ε_1,k均為零均值正態(tài)分布的隨機變量。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述步驟S3中獲取所述和積模塊電路的相關(guān)延遲參數(shù)包括：

利用預(yù)設(shè)延遲模塊對輸出電流I_z,k進行延遲處理，得到輸出電流I`_z為：

I_z(t₀+Δt)＝(1-exp(-Δt/τ))I_z(t₀)+exp(-Δt/τ)I_z(t₀)；

其中t₀為初始時間，Δt為采樣周期，τ為和積模塊電路的延遲參數(shù)；

進一步簡化為如下離散時間的微分方程：

式中n是離散時間索引，α＝1-exp(-Δt/τ)。