[發明專利]閃存結構的制造方法

有效

• 申請號: 201610033975.3
• 申請日: 2016-01-19
• 公開（公告）號: CN105428318B
• 公開（公告）日: 2018-02-16
• 發明（設計）人: 徐濤;陳宏;王卉;曹子貴
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/11517
• 分類號: H01L27/11517;H01L21/027;G03F7/20;G03F7/26;G03F7/30
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 高靜,吳敏

1.一種閃存結構的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底包括邏輯區和存儲單元區；

在所述襯底上形成字線層；

采用包含堿性離子的顯影劑對所述字線層表面進行中和處理；

進行所述中和處理后，通過曝光顯影工藝在所述字線層表面形成圖形化的光刻膠層，所述圖形化的光刻膠層暴露出所述邏輯區的字線層表面；

以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，去除所述邏輯區的字線層，在存儲單元區形成字線。

2.如權利要求1所述的閃存結構的制造方法，其特征在于，所述字線層的材料為重摻雜的多晶硅。

3.如權利要求1所述的閃存結構的制造方法，其特征在于，采用顯影劑對所述字線層表面進行中和處理的步驟中，所述顯影劑為堿性顯影劑。

4.如權利要求3所述的閃存結構的制造方法，其特征在于，所述堿性顯影劑為氫氧化四甲基銨溶液。

5.如權利要求4所述的閃存結構的制造方法，其特征在于，所述氫氧化四甲基銨溶液的質量濃度為2％至2.5％。

6.如權利要求1所述的閃存結構的制造方法，其特征在于，采用顯影劑對所述字線層表面進行中和處理的步驟中，所述顯影劑的溫度為20℃至40℃。

7.如權利要求1所述的閃存結構的制造方法，其特征在于，所述堿性離子為氫氧根離子。

8.如權利要求1所述的閃存結構的制造方法，其特征在于，去除所述邏輯區的字線層的工藝為等離子體干法刻蝕工藝。

9.如權利要求1所述的閃存結構的制造方法，其特征在于，所述顯影劑與所述曝光顯影工藝中采用的顯影劑相同。