[發(fā)明專利]存儲器元件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610033445.9
• 申請日: 2016-01-19
• 公開（公告）號: CN106992178B
• 公開（公告）日: 2020-07-14
• 發(fā)明（設計）人: 莊哲輔;廖修漢;蔡耀庭
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11517
• 分類號: H01L27/11517;H01L27/11521
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

1.一種存儲器元件，其特征在于，包括：

多個第一導體結構，位于襯底上，且沿著第一方向與第二方向排列，所述第一方向垂直于所述第二方向；

第二導體結構，與所述多個第一導體結構沿著所述第二方向相互排列；

多個堆疊結構，位于所述襯底上，且每一所述堆疊結構位于沿著所述第二方向相互排列的所述多個第一導體結構與所述第二導體結構之間；

第一介電層，位于沿著所述第一方向排列的相鄰所述多個第一導體結構之間，且所述第一介電層的頂面低于所述多個第一導體結構的頂面；

凹陷開口，位于所述第二導體結構上，其中所述凹陷開口的底面至少低于所述多個堆疊結構的頂面；以及

至少一介電材料層，位于所述凹陷開口中，以構成凹陷結構。

2.根據權利要求1所述的存儲器元件，其特征在于，所述凹陷結構的頂面至所述底面的厚度介于80nm至120nm之間。

3.根據權利要求1所述的存儲器元件，其特征在于，還包括：

頂蓋層，位于所述多個堆疊結構上；

間隙壁，位于所述多個堆疊結構與所述第二導體結構之間。

4.根據權利要求3所述的存儲器元件，其特征在于，所述凹陷結構的頂面與所述頂蓋層的頂面為共平面。

5.根據權利要求3所述的存儲器元件，其特征在于，所述凹陷結構至少暴露出所述間隙壁的表面。

6.根據權利要求3所述的存儲器元件，其特征在于，各所述頂蓋層的厚度介于30nm至70nm之間。

7.根據權利要求1所述的存儲器元件，其特征在于，各所述堆疊結構依序包括穿隧介電層、浮置柵極、柵間介電層、控制柵極以及第二介電層。

8.根據權利要求7所述的存儲器元件，其特征在于，所述凹陷結構的所述底面高于所述控制柵極的頂面。

9.根據權利要求1所述的存儲器元件，其特征在于，所述凹陷結構的形狀為半圓形、矩形或其組合。

10.根據權利要求1所述的存儲器元件，其特征在于，所述凹陷結構包括單層結構、兩層結構或多層結構。

11.根據權利要求1所述的存儲器元件，其特征在于，所述凹陷結構的材料包括氮化硅、氧化硅或其組合。

12.根據權利要求1所述的存儲器元件，其特征在于，所述多個第一導體結構為漏極結構，所述第二導體結構為源極結構。

13.根據權利要求1所述的存儲器元件，其特征在于，還包括金屬內連線，位于所述凹陷結構上。