[發明專利]PLGA-S1P納米材料及PLGA-S1P納米涂層支架的制備方法有效
| 申請號: | 201610032781.1 | 申請日: | 2016-01-19 |
| 公開(公告)號: | CN105709279B | 公開(公告)日: | 2019-03-05 |
| 發明(設計)人: | 戚勛;鐘紅珊;徐克;苑永輝 | 申請(專利權)人: | 中國醫科大學附屬第一醫院 |
| 主分類號: | A61L31/10 | 分類號: | A61L31/10;A61L31/14 |
| 代理公司: | 沈陽晨創科技專利代理有限責任公司 21001 | 代理人: | 張晨 |
| 地址: | 110001 遼寧*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | plga s1p 納米 材料 涂層 支架 制備 方法 | ||
本發明的目的在于提供一種PLGA?S1P納米材料及PLGA?S1P納米涂層支架的制備方法,其特征在于:采用超聲分散的方法將S1P采取溶劑乳化法進行PLGA包被,其配比為S1P:PLGA=1:10~200(w/w),然后采取乳化劑擴散至水的方法去除有機溶劑,最后采用凍干濃縮法制成凍干粉。將PLGA?S1P納米粒凍干粉加入溶劑中,超聲溶解后作為載藥涂層液;將不銹鋼支架清洗干凈,采用高壓電仿方法/超聲波噴涂技術將載藥涂層液反復噴涂于支架表面,涂層厚度控制在5~20μm,采用去離子水/有機溶劑揮發方法清洗,滅菌后即得PLGA?S1P納米涂層支架。采用PLGA?S1P納米粒作為金屬裸支架的表面涂層材料,能夠起到抑制支架置入術后再狹窄的目的,本發明為預防動脈狹窄/閉塞性疾病的介入治療提供新的方法。
技術領域
本發明涉及醫療器械領域,特別提供一種PLGA-S1P納米材料以及PLGA-S1P納米涂層支架的制備方法。
背景技術
動脈狹窄/閉塞已嚴重危害到人們的身體健康并逐漸成為目前乃至將來人類必須面對的最重大的公共衛生問題之一。
支架置入術以患者痛苦小、手術成功率高、并發癥少、術后恢復快、住院時間短等優點,已成為動脈粥樣硬化所致外周動脈狹窄/閉塞性疾病治療的首選方法。盡管血管支架置入術作為一種新興的技術有著諸多優勢,但支架置入術后再狹窄(In-StentRestenosis,ISR)的發生成為了比較棘手的問題,嚴重影響了介入治療的中遠期療效,并限制了這種微創治療方法的廣泛應用。因此,如何降低血管支架再狹窄率仍是介入放射學界研究的難點和熱點。近年來,人們對支架置入術后再狹窄的機制研究有以下幾點:1)血管內皮細胞分泌功能紊亂,啟動血管再狹窄;2)血管內皮損傷及功能紊亂,亞急性血栓形成;3)動脈內膜損傷引發急性炎癥反應;4)血管平滑肌細胞的激活、增生和遷移;5)血管重塑。而目前已應用于臨床的藥物洗脫支架在抑制平滑肌細胞增生的同時也抑制了內皮細胞的增殖,破壞了血管內皮化,延遲血管的自然愈合。
1-磷酸鞘氨醇簡稱S1P,是由鞘氨醇被鞘氨醇激酶-1(SPHK1)和鞘氨醇激酶-2(SPHK2)磷酸化產生的、具有多種生物學活性的脂質代謝物。它具有刺激細胞有絲分裂、阻止細胞凋亡、調節細胞的運動性以及調節平滑肌細胞骨架肌動蛋白的收縮等功能,這些生理功能都是通過作用于G蛋白偶聯受體來實現的。
新興的納米材料聚乳酸-羥基乙酸共聚物(PLGA),由于其具有良好的生物相容性和生物降解性能,且降解速度可控,其降解產物乳酸和羥基乙酸可參與人體的新陳代謝,最終形成二氧化碳和水被排出體外,對人體無任何毒害作用,且不會引起血液凝塊、聚結及毛細血管栓塞,因而在生物醫學工程領域有廣泛的用途。目前PLGA已被廣泛應用于蛋白和肽類藥物的控釋載體、醫療器械的制作以及組織工程支架材料。
發明內容
本發明的目的在于提供一種PLGA-S1P納米材料以及PLGA-S1P納米涂層支架的制備方法,采用PLGA-S1P納米粒作為金屬裸支架的表面涂層材料,從而制成藥物緩釋涂層支架,將其置入狹窄/閉塞動脈內,通過PLGA的緩慢降解不斷向支架置入部位釋放S1P,增加局部組織S1P的濃度,誘導支架置入部位的內皮化,并且抑制平滑肌細胞的過度增殖,進而達到抑制支架置入術后再狹窄的目的,本發明為預防動脈狹窄/閉塞性疾病的介入治療提供新的方法。
本發明具體提供了一種PLGA-S1P納米材料的制備方法,其特征在于:采用溶劑乳化法將S1P進行PLGA包被,其配比為S1P:PLGA=1:10~200(w/w),再采用超聲分散法將所得PLGA-S1P制成納米微球,然后采取乳化劑擴散至水的方法去除有機溶劑,最后采用凍干濃縮法制成凍干粉。
其中,所述PLGA選自PLGA5005、PLGA5010、PLGA7505、PLGA7510之一種或多種,優選配比為S1P:PLGA=1:60~120(w/w)。
本發明所述PLGA-S1P納米材料的制備方法,其特征在于,納米球的制備過程:
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