[發(fā)明專利]一種基于導(dǎo)電涂層的陣列式微等離子體發(fā)生裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610031913.9
• 申請日: 2016-01-18
• 公開（公告）號: CN105491774A
• 公開（公告）日: 2016-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉東平;彭一峰;夏洋;徐博深;齊志華
• 申請（專利權(quán)）人: 大連民族大學(xué)
• 主分類號: H05H1/24
• 分類號: H05H1/24
• 代理公司: 大連一通專利代理事務(wù)所(普通合伙) 21233
• 代理人: 秦少林

1.一種基于導(dǎo)電涂層的陣列式微等離子體發(fā)生裝置，主要包括絕緣外殼、 進氣管、高壓電源以及地電極，其特征在于：所述絕緣外殼為圓筒形結(jié)構(gòu)，絕 緣外殼一端封口、另一端開口，在封口端相通連接進氣管；在絕緣外殼的中部 徑向安裝一塊圓板形均流板，在均流板上均勻開設(shè)均流孔；在均流板下方安裝 介質(zhì)板A和介質(zhì)板B，且介質(zhì)板A和介質(zhì)板B之間留有空間，在介質(zhì)板A和介 質(zhì)板B表面上下對應(yīng)的開設(shè)插孔，在兩塊介質(zhì)板的每組上下對應(yīng)的插孔中安插 固定絕緣介質(zhì)管，該絕緣介質(zhì)管為上下開口的管體結(jié)構(gòu)；在介質(zhì)板A的上表面 設(shè)有一層導(dǎo)電涂層A，導(dǎo)電涂層A通過導(dǎo)線與高壓電源相接；在介質(zhì)板B的下 表面設(shè)有一層導(dǎo)電涂層B，導(dǎo)電涂層B通過導(dǎo)線與地電極相接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于導(dǎo)電涂層的陣列式微等離子體發(fā)生裝置， 其特征在于：絕緣介質(zhì)管的底端口處于介質(zhì)板B的下方，且與絕緣外殼的開口 端齊平或處于開口端之內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于導(dǎo)電涂層的陣列式微等離子體發(fā)生裝置， 其特征在于：所述導(dǎo)電涂層A、B為石墨或納米銀薄膜或納米鋁薄膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于導(dǎo)電涂層的陣列式微等離子體發(fā)生裝置， 其特征在于：所述導(dǎo)電涂層A、B的厚度為300～500微米。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于導(dǎo)電涂層的陣列式微等離子體發(fā)生裝置， 其特征在于：所述絕緣介質(zhì)管由石英或陶瓷或聚四氟乙烯材料制成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于導(dǎo)電涂層的陣列式微等離子體發(fā)生裝置， 其特征在于：所述介質(zhì)板A、B由有機玻璃或聚四氟乙烯或石英材料制成。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于導(dǎo)電涂層的陣列式微等離子體發(fā)生裝置， 其特征在于：所述絕緣介質(zhì)管的內(nèi)徑為100～300微米。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于導(dǎo)電涂層的陣列式微等離子體發(fā)生裝置， 其特征在于：所述高壓電源為交流電源，電壓峰峰值調(diào)節(jié)范圍為0～20KV，頻 率調(diào)節(jié)范圍為1～30KHz。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于導(dǎo)電涂層的陣列式微等離子體發(fā)生裝置， 其特征在于：所述高壓電源為脈沖電源，電壓峰峰值調(diào)節(jié)范圍為0～15KV，頻 率調(diào)節(jié)范圍為1～10KHz。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于導(dǎo)電涂層的陣列式微等離子體發(fā)生裝 置，其特征在于：所述均流板上的均流孔按照陣列式規(guī)律均勻分布。