[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201610030780.3
• 申請日: 2016-01-18
• 公開（公告）號: CN106783838B
• 公開（公告）日: 2019-05-21
• 發明（設計）人: 鄒安莉;曾瑋豪
• 申請（專利權）人: 新唐科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/762;H01L21/768
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 湯在彥

本發明提供一種半導體裝置及其制造方法。該半導體裝置包括：基板；第二導電型外延層，設于基板上；第一導電型外延層，設于第二導電型外延層上；第二導電型埋藏層，設于第二導電型外延層中；第一隔離溝槽、第二隔離溝槽及第三隔離溝槽，其中第一隔離溝槽與第二隔離溝槽之間的區域為第一隔離區，第二隔離溝槽與第三隔離溝槽之間的區域為第二隔離區；第一導電型第一重摻雜區，設于第一隔離區中的第二導電型外延層中；以及第二導電型第一重摻雜區，設于第二隔離區中的第一導電型外延層中。

技術領域

本發明是有關于半導體裝置及其制造方法，且特別是有關于一種具有靜電放電保護元件的半導體裝置及其制造方法。

背景技術

一般而言，靜電放電的電壓(或電流)較正常操作所需的電源電壓(或電流)大出甚多。于實際使用環境中，各種來源的靜電放電(electrostatic discharge，ESD)可能會沖擊電子產品。當靜電放電發生時，此突如其來的靜電放電電流很可能會在瞬間將元件燒毀。

為克服上述問題，一般需在電路中安排一些靜電放電保護機制，以有效隔離靜電放電電流而避免元件損毀。一般而言，靜電放電保護元件會配置在核心電路(CoreCircuit)與焊墊(PAD)之間，以保護核心電路。而靜電放電保護元件較佳具有較低的電容及較小的面積。然而，目前的靜電放電保護元件并非各方面皆令人滿意。

因此，業界仍需一種具有更低的電容及更小的面積的靜電放電保護元件。

發明內容

本發明提供一種半導體裝置，包括：基板，基板重摻雜有第一導電型；第二導電型外延層，設于基板上，其中第二導電型外延層具有第二導電型，且第一導電型與第二導電型不同；第一導電型外延層，設于第二導電型外延層上，其中第一導電型外延層具有第一導電型；第二導電型埋藏層，設于第二導電型外延層中，其中第二導電型埋藏層重摻雜有第二導電型；第一隔離溝槽、第二隔離溝槽及第三隔離溝槽，自第一導電型外延層的頂面延伸穿過第二導電型外延層至基板中，且第一隔離溝槽與第三隔離溝槽分別設于第二隔離溝槽的相反側，其中第一隔離溝槽與第二隔離溝槽之間的區域為第一隔離區，第二隔離溝槽與第三隔離溝槽之間的區域為第二隔離區；第一導電型第一重摻雜區，設于第一隔離區中的第二導電型外延層中，且位于第二導電型埋藏層之下，其中第一導電型第一重摻雜區具有第一導電型，且位于第一隔離區中的第一導電型第一重摻雜區與第二導電型埋藏層是作為齊納二極管(Zener diode)；以及第二導電型第一重摻雜區，設于第二隔離區中的第一導電型外延層中，第二導電型第一重摻雜區具有第二導電型，其中位于第二隔離區中的第一導電型外延層與第二導電型第一重摻雜區是作為高側二極管(high-side diode)，而位于第二隔離區中的基板與第二導電型外延層是作為低側二極管(low-side diode)。