[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610030780.3
• 申請(qǐng)日: 2016-01-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106783838B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄒安莉;曾瑋豪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 新唐科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02;H01L21/762;H01L21/768
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 湯在彥

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：

一基板，該基板重?fù)诫s有一第一導(dǎo)電型的離子；

一第二導(dǎo)電型外延層，設(shè)于該基板上，其中該第二導(dǎo)電型外延層具有一第二導(dǎo)電型的離子，且該第一導(dǎo)電型的離子與該第二導(dǎo)電型的離子不同；

一第一導(dǎo)電型外延層，設(shè)于該第二導(dǎo)電型外延層上，其中該第一導(dǎo)電型外延層具有該第一導(dǎo)電型的離子；

一第二導(dǎo)電型埋藏層，設(shè)于該第二導(dǎo)電型外延層中，其中該第二導(dǎo)電型埋藏層重?fù)诫s有該第二導(dǎo)電型的離子；

一第一隔離溝槽、一第二隔離溝槽及一第三隔離溝槽，自該第一導(dǎo)電型外延層的一頂面延伸穿過(guò)該第二導(dǎo)電型外延層至該基板中，且該第一隔離溝槽與該第三隔離溝槽分別設(shè)于該第二隔離溝槽的相反側(cè)，其中該第一隔離溝槽與該第二隔離溝槽之間的區(qū)域?yàn)橐坏谝桓綦x區(qū)，該第二隔離溝槽與該第三隔離溝槽之間的區(qū)域?yàn)橐坏诙綦x區(qū)；

一第一導(dǎo)電型第一重?fù)诫s區(qū)，設(shè)于該第一隔離區(qū)中的該第二導(dǎo)電型外延層中，且位于該第二導(dǎo)電型埋藏層之下，其中該第一導(dǎo)電型第一重?fù)诫s區(qū)具有該第一導(dǎo)電型的離子，且位于該第一隔離區(qū)中的該第一導(dǎo)電型第一重?fù)诫s區(qū)與該第二導(dǎo)電型埋藏層是作為一齊納二極管；以及

一第二導(dǎo)電型第一重?fù)诫s區(qū)，設(shè)于該第二隔離區(qū)中的該第一導(dǎo)電型外延層中，該第二導(dǎo)電型第一重?fù)诫s區(qū)具有該第二導(dǎo)電型的離子，其中位于該第二隔離區(qū)中的該第一導(dǎo)電型外延層與該第二導(dǎo)電型第一重?fù)诫s區(qū)是作為一高側(cè)二極管，而位于該第二隔離區(qū)中的該基板與該第二導(dǎo)電型外延層是作為一低側(cè)二極管。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，更包括：

一第二導(dǎo)電型第二重?fù)诫s區(qū)，設(shè)于該第一隔離區(qū)中的該第一導(dǎo)電型外延層中，其中該第二導(dǎo)電型第二重?fù)诫s區(qū)具有該第二導(dǎo)電型的離子，且電連接該齊納二極管；以及

一第二導(dǎo)電型第三重?fù)诫s區(qū)，設(shè)于該第二隔離區(qū)中的該第一導(dǎo)電型外延層中，其中該第二導(dǎo)電型第三重?fù)诫s區(qū)具有該第二導(dǎo)電型的離子，且電連接該低側(cè)二極管。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，更包括：

一第一導(dǎo)電型第二重?fù)诫s區(qū)，設(shè)于該第二隔離區(qū)中的該第一導(dǎo)電型外延層中，其中該第一導(dǎo)電型第二重?fù)诫s區(qū)具有該第一導(dǎo)電型的離子，且電連接該高側(cè)二極管。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，更包括：

一接觸插塞，同時(shí)電連接該第一導(dǎo)電型第二重?fù)诫s區(qū)及該第二導(dǎo)電型第三重?fù)诫s區(qū)。

5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第一導(dǎo)電型第二重?fù)诫s區(qū)直接接觸該第二導(dǎo)電型第三重?fù)诫s區(qū)。