[發明專利]多層銅互連布線結構的檢測方法

有效

• 申請號: 201610029701.7
• 申請日: 2016-01-15
• 公開（公告）號: CN105699875B
• 公開（公告）日: 2019-02-19
• 發明（設計）人: 林曉玲;章曉文;梁朝輝
• 申請（專利權）人: 工業和信息化部電子第五研究所
• 主分類號: G01R31/28
• 分類號: G01R31/28
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄭彤

1.一種多層銅互連布線結構的檢測方法，其特征在于，包括如下步驟：

采用開封方法獲取多層銅互連布線結構的裸芯片；

清除所述裸芯片表面的殘留物；

采用反應離子蝕刻法去除所述裸芯片表面的保護膜；

采用熱熔蠟將去除保護膜后的裸芯片固定于研磨拋光夾具；

根據失效分析的結果，對所述裸芯片的缺陷區域進行平行拋光剝層操作，所述平行拋光剝層的工藝參數為：采用氧化硅懸浮液作為拋光液，所述氧化硅懸浮液中氧化硅粒子的粒徑為0.03-0.05μm，所述氧化硅懸浮液的滴加速率為0.3-0.8滴/秒；

利用顯微觀察監測平行拋光進度直至達到目標層。

2.根據權利要求1所述的檢測方法，其特征在于，所述多層銅互連布線結構的厚度為5-30μm，所述多層銅互連布線結構中各金屬層的厚度為0.1-5μm。

3.根據權利要求1所述的檢測方法，其特征在于，所述反應離子蝕刻法的工藝參數為：反應氣為CF₄和O₂；反應氣流量：CF₄流量為40-50ml/min，O₂流量為10-20ml/min；真空度為120-170mTorr；射頻輸出功率為180-220w；反應離子刻蝕功率130-170w；腐蝕時間為10-15min。

4.根據權利要求1所述的檢測方法，其特征在于，所述熱熔蠟固定芯片的工藝參數為：將所述研磨拋光夾具加熱至170-180℃，然后將熱熔蠟置于夾具上，熔融后將芯片置于熱熔蠟中，最后冷卻至室溫。

5.根據權利要求1-4任一項所述的檢測方法，其特征在于，在采用反應離子蝕刻法去除所述裸芯片表面的保護膜之前，還包括如下步驟：

將多層銅互連布線結構的裸芯片采用聚焦離子束制作縱向截面，獲取所述裸芯片的多層銅互連布線結構的截面參數，所述截面參數包括所述裸芯片中的金屬層數及其厚度。

6.根據權利要求5所述的檢測方法，其特征在于，所述采用聚焦離子束制作縱向截面的步驟為：6.0-7.0nA束流初始剖切，挖出階梯式的剖面；1.0-2.0nA束流精細加工處理剖面；25-30pA束流拋光處理獲得清晰的剖面形貌。

7.根據權利要求1-4任一項所述的檢測方法，其特征在于，所述顯微觀察包括金相顯微觀察和/或掃描電子顯微觀察。

8.根據權利要求1-4任一項所述的檢測方法，其特征在于，所述保護膜為聚酰亞胺。