[發(fā)明專利]一種減小DRAM節(jié)電模式下靜態(tài)功耗的電路及方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610028544.8 | 申請日： | 2016-01-15 |
| 公開（公告）號： | CN105702280B | 公開（公告）日： | 2018-08-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 賈雪絨 | 申請（專利權(quán)）人： | 西安紫光國芯半導體有限公司 |
| 主分類號： | G11C11/4074 | 分類號： | G11C11/4074 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人： | 陸萬壽 |
| 地址： | 710075 陜西省西安*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 減小 dram 節(jié)電 模式 靜態(tài) 功耗 電路 方法 | ||
1.一種減小DRAM節(jié)電模式下靜態(tài)功耗的電路，其特征在于，包括DRAM內(nèi)部供電電壓產(chǎn)生器和模式控制電路；
所述DRAM內(nèi)部供電電壓產(chǎn)生器用于產(chǎn)生DRAM工作的電壓；
所述模式控制電路用于：在DRAM芯片正常工作時，將DRAM內(nèi)部供電電壓產(chǎn)生器產(chǎn)生的工作電壓直接傳送給DRAM內(nèi)部供電電壓網(wǎng)絡(luò)；在DRAM芯片處于節(jié)電模式時，將DRAM內(nèi)部供電電壓產(chǎn)生器產(chǎn)生的工作電壓降壓后傳送給DRAM內(nèi)部供電電壓網(wǎng)絡(luò)；
所述模式控制電路包括開關(guān)S1、開關(guān)S2、PMOS管以及整體控制電路；
DRAM內(nèi)部供電電壓產(chǎn)生器的輸出端分成兩路，一路通過開關(guān)S1連接DRAM內(nèi)部供電電壓網(wǎng)絡(luò)，另一路通過串聯(lián)的開關(guān)S2和PMOS管連接DRAM內(nèi)部供電電壓網(wǎng)絡(luò)；
整體控制電路用于在DRAM芯片處于節(jié)電模式時產(chǎn)生節(jié)電模式控制信號控制開關(guān)S1斷開、開關(guān)S2閉合；以及，在DRAM芯片處于非節(jié)電模式時產(chǎn)生非節(jié)電模式控制信號開關(guān)S1閉合、開關(guān)S2斷開；
DRAM芯片處于節(jié)電模式時，DRAM內(nèi)部供電電壓產(chǎn)生器產(chǎn)生的電壓經(jīng)過一個PMOS管降壓后傳送給DRAM內(nèi)部供電電壓網(wǎng)絡(luò)；
DRAM芯片處于節(jié)電模式時，DRAM內(nèi)部供電電壓產(chǎn)生器產(chǎn)生的工作電壓降壓一個PMOS管的閾值電壓后傳送給DRAM內(nèi)部供電電壓網(wǎng)絡(luò)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種減小DRAM節(jié)電模式下靜態(tài)功耗的電路，其特征在于，PMOS管的閾值電壓為300～400mv。
3.一種減小DRAM節(jié)電模式下靜態(tài)功耗的方法，其特征在于，基于權(quán)利要求1所述的一種減小DRAM節(jié)電模式下靜態(tài)功耗的電路，在DRAM芯片正常工作時，將DRAM內(nèi)部供電電壓產(chǎn)生器產(chǎn)生的工作電壓直接傳送給DRAM內(nèi)部供電電壓網(wǎng)絡(luò)；在DRAM芯片處于節(jié)電模式時，將DRAM內(nèi)部供電電壓產(chǎn)生器產(chǎn)生的工作電壓降壓后傳送給DRAM內(nèi)部供電電壓網(wǎng)絡(luò)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種減小DRAM節(jié)電模式下靜態(tài)功耗的方法，其特征在于，通過一個PMOS管將DRAM內(nèi)部供電電壓產(chǎn)生器產(chǎn)生的工作電壓降壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種減小DRAM節(jié)電模式下靜態(tài)功耗的方法，其特征在于，在DRAM芯片處于節(jié)電模式時，DRAM內(nèi)部供電電壓產(chǎn)生器產(chǎn)生的工作電壓降壓一個PMOS管的閾值電壓后傳送給DRAM內(nèi)部供電電壓網(wǎng)絡(luò)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種減小DRAM節(jié)電模式下靜態(tài)功耗的方法，其特征在于，PMOS管的閾值電壓為300～400mv。
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