[發明專利]一種LDMOS器件

有效

• 申請號: 201610025460.9
• 申請日: 2016-01-13
• 公開（公告）號: CN106972047B
• 公開（公告）日: 2020-01-31
• 發明（設計）人: 張廣勝;張森
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 11336 北京市磐華律師事務所
• 代理人: 董巍;高偉

本發明提供一種LDMOS器件，涉及半導體技術領域。包括：襯底具有第一導電類型；第一漂移區位于襯底中具有第二導電類型；第一阱區位于襯底中與第一漂移區相鄰且間隔，并具有第一導電類型；外延層位于襯底上，外延層包括具有第二導電類型的第二漂移區，以及分別位于第二漂移區兩側的具有第一導電類型的第二阱區和具有第二導電類型的摻雜區，第二阱區位于第一阱區上；第一埋層位于第一漂移區和第二漂移區中，具有所述第一導電類型。本發明的結構優化了源端的JFET區域增加了電流路徑的寬度，得到高擊穿電壓的同時得到更低的導通電阻，并實現了多層RESURF結構。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，具體而言涉及一種LDMOS器件。

背景技術

橫向雙擴散金屬氧化物半導體(Laterally Diffused Metal OxideSemiconductor，簡稱LDMOS)器件因其耐高壓特性而被廣泛應用于智能功率集成電路中。關態耐高壓及導通電阻是表征LDMOS器件特性的重要指標，同時也是器件的工藝制造過程中所面臨的一對矛盾。為了進一步提高器件特性及解決所面臨的矛盾，人們引入了表面降場(RESURF＝Reduced Surface Field)型LDMOS器件的概念，并得到廣泛應用。

圖1示出了一種傳統的三層RESURF LDMOS的剖面示意圖。其包括：P型襯底101，以及位于P型襯底101中的P型深阱102和與P型深阱102相鄰接的N型深阱104，位于所述P型襯底101上的N型外延107，形成于N型外延107一側的P型深阱102上的P型阱區106，P型阱區106用于LDMOS的導通溝道。形成于N型外延107另一側的N型深阱104上的N型摻雜區112。還包括形成于N型外延107和N型深阱104中的P型埋層105，以及形成于P型深阱和P型阱區中的P型埋層105。在外延層上還形成有源極/漏極引出區108、體引出區109和柵極引出113，以及與源極引出區和體引出區相連接的互連金屬層110和與漏極引出區相連接的互連金屬層111。

在上述傳統的超高壓三層RESURF LDMOS中，其主要是在漂移區的內部通過注入或者外延來形成一定結深的P型摻雜，從而實現對漂移區中P型雜質上下區域之間的耗盡，達到RESURF的目的。但是其結構存在一定的缺點：在源端會有一定長度的JFET區域，此區域如果寬度較小時，電流路徑被限制，影響器件的導通電阻；如果次區域較大時，器件在反響耐壓時由于漂移區中N型雜質較濃，從而無法耗盡。

因此，有必要提出一種新的LDMOS器件，以解決上述技術問題。

發明內容

在發明內容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本發明的發明內容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護范圍。

針對現有技術的不足，本發明提供一種LDMOS器件，包括：

襯底，具有第一導電類型；

第一漂移區，位于所述襯底中，具有第二導電類型；

第一阱區，位于所述襯底中與所述第一漂移區相鄰且間隔，具有第一導電類型；

外延層，位于所述襯底上，所述外延層包括具有第二導電類型的第二漂移區，以及分別位于所述第二漂移區兩側的具有第一導電類型的第二阱區和具有第二導電類型的摻雜區，所述第二阱區位于所述第一阱區上；

第一埋層，位于所述第一漂移區和所述第二漂移區中，具有所述第一導電類型；

第二埋層，位于所述第一阱區和所述第二阱區中，具有所述第一導電類型。

進一步，還包括：

源極引出區和體引出區，相鄰接并位于所述第二阱區內，且具有相反的導電類型；

漏極引出區，位于所述摻雜區內，具有第二導電類型；