[發明專利]一種LDMOS器件有效
| 申請號： | 201610025460.9 | 申請日： | 2016-01-13 |
| 公開（公告）號： | CN106972047B | 公開（公告）日： | 2020-01-31 |
| 發明（設計）人： | 張廣勝;張森 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐華律師事務所 | 代理人： | 董巍;高偉 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 ldmos 器件 | ||
1.一種LDMOS器件，其特征在于，包括：
襯底，具有第一導電類型；
第一漂移區，位于所述襯底中，具有第二導電類型；
第一阱區，位于所述襯底中與所述第一漂移區相鄰且間隔，具有第一導電類型；
外延層，位于所述襯底上，所述外延層包括具有第二導電類型的第二漂移區，以及分別位于所述第二漂移區兩側的具有第一導電類型的第二阱區和具有第二導電類型的摻雜區，所述第二阱區位于所述第一阱區上；
第一埋層，位于所述第一漂移區和所述第二漂移區中，具有所述第一導電類型；
第二埋層，位于所述第一阱區和所述第二阱區中，具有所述第一導電類型；其中，所述第二漂移區從所述第一阱區上延伸至所述第一漂移區上。
2.如權利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，還包括：
源極引出區和體引出區，相鄰接并位于所述第二阱區內，且具有相反的導電類型；
漏極引出區，位于所述摻雜區內，具有第二導電類型；
場氧化層，位于所述第二漂移區上；
柵極結構，位于所述外延層上，且柵極結構的一側邊緣延伸至所述場氧化層上，以及柵極結構的另一側邊緣延伸至所述第二阱區上。
3.如權利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一導電類型為P型，所述第二導電類型為N型。
4.如權利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述間隔的長度為0。
5.如權利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于，所述柵極結構的材料包括多晶硅。
6.如權利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于，還包括分別與所述體引出區、源極引出區、漏極引出區和所述柵極結構相連接的接觸，以及與所述接觸相連接的互連金屬層。
7.如權利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第二漂移區為N型外延層。
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