[發(fā)明專利]射頻工藝中減小帶電感器件的芯片面積的方法及應(yīng)用在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610024778.5 | 申請日： | 2016-01-15 |
| 公開（公告）號： | CN105679711A | 公開（公告）日： | 2016-06-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳曦 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8238 | 分類號： | H01L21/8238;H01L21/8249;H01L27/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 射頻 工藝 減小 電感 器件 芯片 面積 方法 應(yīng)用 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種射頻工藝中減小帶電感器件的芯片面積的方法，其特征在于： 在客戶為降低芯片面積減小電感和周邊電路的距離時，將INDID層縮小， 并將縮小后的INDID層設(shè)置在電感器件內(nèi)部，使得滿足INDID層加工藝設(shè) 計規(guī)則要求的值后，電感離周邊電路的距離等同客戶設(shè)計值。
2.權(quán)利要求1所述的方法在包括RFCMOS和SiGeBiCMOS在內(nèi)的射頻 器件中的應(yīng)用。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
