[發明專利]射頻工藝中減小帶電感器件的芯片面積的方法及應用在審
| 申請號： | 201610024778.5 | 申請日： | 2016-01-15 |
| 公開（公告）號： | CN105679711A | 公開（公告）日： | 2016-06-15 |
| 發明（設計）人： | 陳曦 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8238 | 分類號： | H01L21/8238;H01L21/8249;H01L27/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 射頻 工藝 減小 電感 器件 芯片 面積 方法 應用 | ||
【權利要求書】：
1.一種射頻工藝中減小帶電感器件的芯片面積的方法，其特征在于： 在客戶為降低芯片面積減小電感和周邊電路的距離時，將INDID層縮小， 并將縮小后的INDID層設置在電感器件內部，使得滿足INDID層加工藝設 計規則要求的值后，電感離周邊電路的距離等同客戶設計值。
2.權利要求1所述的方法在包括RFCMOS和SiGeBiCMOS在內的射頻 器件中的應用。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華虹宏力半導體制造有限公司，未經上海華虹宏力半導體制造有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610024778.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種液壓油箱下殼拉深模具
- 下一篇：一種生產卷尺尺鉤用模具
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
